English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 78937/78937 (100%)
造訪人次 : 39612518      線上人數 : 303
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧:
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
  • 進階搜尋


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/90474


    題名: 開發複合金屬薄膜蝕刻製程用於A世代元件製程;Development of Plasma Ion Etching Composite Metal Process and Generation a Device Process
    作者: 李雄朱
    貢獻者: 國立中央大學機械工程學系
    關鍵詞: A世代元件製程;電漿離子蝕刻先進製程與設備;電化學加工;複合金屬薄膜;Generation A device process;Plasma Reactive Ion Etching;Electrochemical Machining;composite metal films
    日期: 2023-03-08
    上傳時間: 2023-03-08 15:51:45 (UTC+8)
    出版者: 國家科學及技術委員會
    摘要: 社會面:自主建置電漿離子蝕刻系統設備,可提昇國內產學界掌握更多關鍵設備核心技術,對整體社會人才的培育有正面的貢獻。 2.經濟面:有效改善業界的技術瓶頸與量產穩定性的疑慮,提升整體製造業的經濟價值。 3.學術發展面:藉由專業學術期刊的閱讀與解析,透過學術研究平台創造學界與業界的新知識,並嶄露出更高層次的技術貢獻。
    關聯: 財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
    顯示於類別:[機械工程學系] 研究計畫

    文件中的檔案:

    檔案 描述 大小格式瀏覽次數
    index.html0KbHTML82檢視/開啟


    在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 隱私權政策聲明