LDMOS功率電晶體元件設計、特性分析及其模型之建立

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題名:	LDMOS功率電晶體元件設計、特性分析及其模型之建立
作者:	呂國培;Kuo-Pei Lu
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	高頻模型;高壓元件;LDMOS;MODEL
日期:	2001-06-19
上傳時間:	2009-09-22 11:41:37 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	本論文利用TMA MEDICI這套軟體模擬元件的結構以及製程參數，得到我們所要的直流參數，並依據此作為製程條件，製作光罩，利用立生半導體製程做出LDMOS，開發出LDMOS製程。其直流特性在崩潰電壓方面可以達到41.3伏特；而在高頻方面，並且利用HP 8510C網路分析儀進行元件的高頻量測，得到元件的高頻參數fT約為5.85GHz，而fmax約為6.1GHz；並且到國家豪微米實驗室量測元件操作900MHz時，輸出功率可以達到511mW/mm，功率增益也達到了16.7dB，在class A式偏壓下功率附加效益達到了49.4%。而在建立等效模型方面使用HP ADS軟體，萃取出元件參數與對基板的寄生參數；並且使用Level 3模型建立了LDMOS的大訊號模型，不論在直流方面的電流電壓特性，或是高頻S-參數與功率參數的模擬，皆可獲得與量測值接近的特性。本論文亦針對封裝對於元件所產生的影響，建立一等效模型，利用串聯電感及寄生電阻與電容，模擬封裝對於元件在高頻響應的影響。由本論文設計的LDMOS經由以上的量測與特性分析並建立等效模型，得到LDMOS是適合做高頻以及高壓的元件，可以應用在基地台的功率放大器，或是作為大功率的功率元件，未來的應用範圍相當的寬廣。
顯示於類別:	[電機工程研究所] 博碩士論文

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