新世代3D內儲超低能耗非揮發性鐵電HfO2與磁性記憶體研究;3d Scaling Ultralow-Power Ferroelectric Hfo2 Tunneling Junction and Mram Technology- a Cross-Layer Optimization from Key Gate-Stack to Device Design

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題名:	新世代3D內儲超低能耗非揮發性鐵電HfO2與磁性記憶體研究;3d Scaling Ultralow-Power Ferroelectric Hfo2 Tunneling Junction and Mram Technology- a Cross-Layer Optimization from Key Gate-Stack to Device Design
作者:	唐英瓚
貢獻者:	國立中央大學電機工程學系
關鍵詞:	低功耗;非揮發式記憶體元件;鐵電穿隧接面（FTJ);low power;ferroelectric tunneling junction
日期:	2024-01-26
上傳時間:	2024-09-18 14:56:25 (UTC+8)
出版者:	科技部
摘要:	本計畫研究目標在於開發一種全新低功耗非揮發式記憶體元件鐵電穿隧接面（FTJ），我們已成功研發出使用第一原理模擬結合in-house TCAD可動態描述退火過程相變如何改變鐵電特性的理論，驗證使用應變閘極技術可使氧化鉿更容易從單斜方晶相 (Monoclinic) 形成斜方晶相 (Orthorhombic) ，而擁有鐵電特性。我們將以此理論研究並最佳化鐵電穿隧接面，使該鐵電記憶體具備記憶窗口 > 100，電流密度 1E2 A/cm2，讀/寫速度 < 50 ns，耐久度可達 1E7 次，室溫外插保存時間可達十年。
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[電機工程學系] 研究計畫

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