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    題名: 以有機金屬蒸氣沉積法磊晶成長III族氮化物於新穎基板;Epitaxial Growth of Iii-Nitrides on Novel Substrates by Mocvd
    作者: 綦振瀛
    貢獻者: 國立中央大學電機工程學系
    關鍵詞: 矽;碳化矽;鑽石;氮化鎵;磊晶;Si;SiC;Diamond;GaN;epitaxy
    日期: 2024-09-27
    上傳時間: 2024-09-30 17:22:21 (UTC+8)
    出版者: 國家科學及技術委員會(本會)
    摘要: 此計畫針對氮化鎵元件未來的應用與現有問題，研發更具競爭力之磊晶技術，可拓展氮化鎵元件發展之新機會，提升我國電力電子與通訊電子半導體產業之競爭力
    關聯: 財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
    顯示於類別:[電機工程學系] 研究計畫

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