氮化銦鎵系列多層量子井之光學特性探討; Optical characterization of InGaN-based Multiple Quantum Well Structures

NCUIR > College of Electrical Engineering & Computer Science > Graduate Institute of Electrical Engineering > Electronic Thesis & Dissertation > Item 987654321/9752

Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/9752

Title:	氮化銦鎵系列多層量子井之光學特性探討;Optical characterization of InGaN-based Multiple Quantum Well Structures
Authors:	丁肇敏;Chao-Min Ting
Contributors:	電機工程研究所
Keywords:	氮化銦鎵;量子井;InGaN
Date:	2004-07-05
Issue Date:	2009-09-22 11:55:16 (UTC+8)
Publisher:	國立中央大學圖書館
Abstract:	本論文以Optical pumping量測氮化銦鎵/氮化(鋁)鎵多層量子井之光增益頻譜，並以光激光譜量測與簡單的理論計算來分析驗證我們實驗室所成長磊晶的品質及判定結構設計之正確性。針對不同層數量子井來探討活化能所扮演的角色與光增益頻譜的比較。發現當量子井層數增加時，活化能值提高。由於量子井層數較多，整體光場侷限與增益介質增加造成在相同激發強度下有好的光增益表現。　　使用氮化鋁鎵作為位障層在自發性光譜中強度較強，代表了提高載子侷限。但是應用在雷射二極體中卻使得整體光場侷限因子下降，因此整體模組增益值表現不如預期，需要較高的激發強度與較長的共振腔才可達到雷射現象。
Appears in Collections:	[Graduate Institute of Electrical Engineering] Electronic Thesis & Dissertation

Files in This Item:

File	Size	Format

社群 sharing