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[物理研究所] 期刊論文
2006
The effects of AlN buffer on the properties of InN epitaxial films grown on Si(111) by plasma-assisted molecular-beam epitaxy
WU C.-L.
;
SHEN C.-H.
;
CHEN H.-Y.
;
TSAI S.-J.
;
LIN H.-W.
;
LEE H.-M.
;
GWO S.
;
CHUANG T.-F.
;
CHANG H.-S.
;
HSU T. M.
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