博碩士論文 963303029 詳細資訊




以作者查詢圖書館館藏 以作者查詢臺灣博碩士 以作者查詢全國書目 勘誤回報 、線上人數:32 、訪客IP:18.118.152.191
姓名 王仁逸(Jen-Yi Wang)  查詢紙本館藏   畢業系所 機械工程學系在職專班
論文名稱 研磨頭氣壓分配在化學機械研磨晶圓膜厚移除製程上之影響
(Study for the wafer thin-film remove rate is affect by gas distribution in different zone of polish head on CMP process)
相關論文
★ 塑膠機殼內部表面處理對電磁波干擾防護研究★ 利用光導效應改善非接觸式電容位移感測器測厚儀之研究
★ 石墨材料時變劣化微結構分析★ 半導體黃光製程中六甲基二矽氮烷 之數量對顯影後圖型之影響
★ 可程式控制器機構設計之流程研究★ 伺服沖床運動曲線與金屬板材成型關聯性分析
★ 鋁合金7003與630不銹鋼異質金屬雷射銲接研究★ 應用銲針尺寸與線徑之推算進行銲線製程第二銲點參數優化與統一之研究
★ 複合式類神經網路預測貨櫃船主機油耗★ 熱力微照射製作絕緣層矽晶材料之研究
★ 微波活化對被植入於矽中之氫離子之研究★ 矽/石英晶圓鍵合之研究
★ 奈米尺度薄膜轉移技術★ 光能切離矽薄膜之研究
★ 氮矽基鍵合之研究★ 以氫離子擴散機制製作單晶矽薄膜在石英上之研究
檔案 [Endnote RIS 格式]    [Bibtex 格式]    [相關文章]   [文章引用]   [完整記錄]   [館藏目錄]   至系統瀏覽論文 ( 永不開放)
摘要(中) 本研究在探討研磨頭氣壓分配在化學機械研磨晶圓膜厚移除製程上之影響。在研磨頭上製作數個氣體壓力控制區塊,並配合特定的研磨墊以及研磨液流量,加以特定的轉速,探討研磨頭內不同的氣體壓力控制區塊下施以不同的壓力,其晶圓膜厚移除的狀況。
在化學機械研磨晶圓膜厚移除製程上,常有膜厚移除不均的現象發生,為能解決膜厚移除不均的問題,有許多不同製程因子用來進行實驗,並進行控制以達到預期的膜厚移除。本研究利用在研磨頭內不同的氣控制區塊下施加不同的氣體壓力,研究不同的氣體壓力控制區塊下,壓力與膜厚移除量的關連性,藉以瞭解製程精度的可實行範圍。
本研究所進行的實驗量測,晶圓膜厚皆經由國際半導體標準級的量測儀器進行操作,以減少在量測儀器上所產生之實驗誤差,而可真正呈現最終的研究成果。
摘要(英) This study explores that gas distribution in different zone of polish head is how to affect thin film remove rate of wafer . In the reach study , the several gas zones are made on the polish head , select a specific polish pad , polish slurry flow rate , slurry flow rate and specific polish head RPM to explore that thin film remove rate of wafer is how to affect by gas distribution in different zone of polish head actually.
In the CMP process , the remove rate of thin-file on the wafer is not easy to control the profile what the specification is , so implement the unstable remove rate is necessary . There are so many process parameter to tune these values to match the remove rate specification . The way is fast and direct to view how to affect by gas distribution in different zone of polish head actually on the study then tunning the best process recipes to create a requirement profile .
In the experiment , these wafer are measure by KLA measure tool that they are famous to reduce experiment values inaccurary . It will be shown actual response in the full experiment .
關鍵字(中) ★ 化學機械研磨 關鍵字(英) ★ CMP
論文目次 目 錄
摘要.................................................i
ABSTRACT ...........................................ii
致謝 ..............................................iii
目錄 ...............................................iv
圖目錄 ..............................................v
表目錄 ............................................vii
一、 緒論 .......................................... 1
1-1 研究背景與動機 ................................1
1-2 研究目的 .......................................1
1-3 各章摘要 .......................................1
二、 文獻回顧 .......................................4
2-1 化學機械研磨歷史沿革 ...........................4
2-2 化學機械研磨製程與功能介紹 .....................6
2-2-1 化學機械研磨製程 .............................6
2-2-2 化學機械研磨功能 .............................8
2-2-3 化學機械研磨製程設備的選用 ..................10
2-3 化學機械研磨後的晶圓清洗 ......................14
2-4 化學機械研磨製程的缺陷介紹 ....................15
2-5 研磨液對化學機械研磨的製程影響 ................18
三、 實驗製作方法與設備 ............................26
3-1 實驗研磨頭說明 ................................26
3-1-1 研磨頭內部結構組成 ..........................26
3-1-2 實驗氣體壓力供給說明 ........................29
3-2 相關實驗設備 ..................................31
3-2-1 化學機械研磨機 ..............................31
3-2-2 晶圓膜厚量測機台 ............................31
3-3 實驗過程與設計.................................32
四、 結果與討論 ....................................33
4-1 研磨頭控制壓力區塊的討論 ......................43
4-2 研磨液討論 ....................................46
4-3 研磨墊討論 ....................................49
五、結論與未來展望 .................................52
5-1 結論 ......................................... 52
5-2 未來展望 ......................................53
參考文獻 ...........................................57
參考文獻 〔1〕http://en.wikipedia.org/wiki/Smart_Cut
〔2〕宋健民,「台灣在半導體化學機械平坦化(CMP)技術的發展優勢」,工業材料雜誌,253期,(2008)。
〔3〕CMP技術部 , 應用材料(股)公司
〔4〕Li ; Chou H. and Li ; Suzanne C. , Chemical mechanical polishing slurry , USA patent 6976904
〔5〕王建榮、林必窕和林慶福,「半導體平坦化CMP技術」,二版,全華科技圖書股份有限公司,臺北市,(2000)。
〔6〕小川洋輝,崛池靖浩著,「半導體潔淨技術」,顏誠廷譯,普林斯頓國際有限公司,臺北縣,(2003)。
〔7〕莊達人,「VLSI製造技術」,五版,高立圖書有限公司,臺北縣,(2002)。
〔8〕林明智,「化學機械研磨的微觀機制探討究」,國立中央大學,碩士論文,(1999)。
〔9〕H. Xiao著,「半導體製程技術導論」,羅正忠和張鼎張譯,二版,臺灣培生教育出版,臺北市,(2004)。
〔10〕Michael Quirk、Julian Serda,等.半導體製造技術[M].韓正生 等,譯.北京:電子工業出版社,2004年
〔11〕M. Kulawski, “Advanced CMP Processes for Special Substrates and for Device Manufacturing in MEMS Applications”, VTT Publications 611, 80 p.+ app. 60 p., Technical Research Centre of Finland, (2006).
〔12〕T. Yonehara and K. Sakaguchi, “ELTRAN®; Novel SOI Wafer Technology”, JSAP International, No. 4, pp. 10-16, (2001).
指導教授 李天錫(Benjamin Lee) 審核日期 2010-7-23
推文 facebook   plurk   twitter   funp   google   live   udn   HD   myshare   reddit   netvibes   friend   youpush   delicious   baidu   
網路書籤 Google bookmarks   del.icio.us   hemidemi   myshare   

若有論文相關問題,請聯絡國立中央大學圖書館推廣服務組 TEL:(03)422-7151轉57407,或E-mail聯絡  - 隱私權政策聲明