博碩士論文 993303023 詳細資訊




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姓名 戴謙邦(Chien Pang)  查詢紙本館藏   畢業系所 機械工程學系在職專班
論文名稱 灰化製程對鉻及氧化銦錫接觸阻抗之影響
(Ashing process of chromium and indium-tin oxide contact impedance)
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摘要(中) 本論文是在研究薄膜電晶體液晶顯示器中乾蝕刻製程產生之合成物,會造
成鉻與氧化銦錫接觸阻抗異常。
依六標準差管理手法為基礎,透過系統化的改善流程將鉻與氧化銦錫
接觸阻抗異常的根因找出, 於乾蝕刻製程後加入灰化製程以去除合成物達
到降低鉻與氧化銦錫接觸阻抗的目標。
主要以乾蝕刻設備,利用氧氣氣體電漿經由調整氧氣氣體流量、真空系統
之壓力、真空系統射頻產生器之功率、製程時間等 4 個因子與鉻與氧化銦
錫接觸阻抗之影響,經由田口實驗找出氧氣氣體流量、真空系統之壓力、
真空系統射頻產生器之功率、製程時間等 4 個因子之最佳化,有效降低鉻
與氧化銦錫接觸阻抗 15 %。
摘要(英) This paper is to study Thin Film Transistor - Liquid Crystal Display, dry
etching process to produce the compounds, chromium and indium tin
oxide contact resistance can cause abnormal. Depending on the Six
Sigma management practices based on chromium and indium tin oxide
contact impedance exception of the root due to find out through
systematic improvement process, dry etching process by adding ashing
process to remove the target compounds to reduce chromium and indium
tin oxide contact resistance. Dry etching equipment, the use of oxygen
gas plasma pressure through the adjustment of oxygen gas flow, vacuum
system, vacuum system, RF generator which can generate power , the
process time 4 factor and chromium and indium-tin oxide contact with the
impedance effect of oxygen gas flow, vacuum system pressure , Taguchi
experiment to find out the vacuum system, RF generator optimization of
the four factors of the power , the process time . Effectively reduce the
contact resistance of chromium and indium-tin oxide 15%
關鍵字(中) ★ 接觸阻抗
★ 灰化製程
★ 乾蝕刻
關鍵字(英) ★ ashing process
★ the contact resistance
★ Dry etching
論文目次 摘要 i
Abstract ii
誌謝 iii
目錄 iv
圖&表目錄 vii
第一章 緒論 1
1-1 研究的動機 1
1-2 研究的目的 2
1-3 研究方法 2
第二章 理論與文獻回顧 3
2-1 六標準差的源起 3
2-1-1 六標準差的組織架構 4
2-1-2 六標準差的方法論 5
2-2 液晶簡介 6
2-3 薄膜電晶體液晶顯示器顯示原理 8
2-4 薄膜電晶體液晶顯示器的三大製程簡介 10
2-4-1 矩陣電路製程 11
2-4-2 液晶製程 16
2-4-3 模組製程 18
2-5 歐姆定律 19
2-6 理論與文獻討論 20
第三章 實驗內容 21
3-1 乾式光阻灰化去除之製程能力實驗 21
3-2 要因分析 23
3-2-1 溫度之要因分析 24
3-2-2 六氟化硫之要因分析 25
3-2-3 四氟化碳之要因分析 27
3-2-4 氯氣之要因分析 29
3-2-5 氦氣之要因分析 31
3-2-6 氧氣之要因分析 33
3-2-7 製程時間之要因分析 35
3-2-8 射頻產生器功率之要因分析 36
3-2-9 壓力之要因分析 36
3-2-10要因評價表 37
3-3 第一次田口實驗 38
3-3-1 壓力主效應 39
3-3-2 射頻產生器功率主效應 40
3-3-3 氧氣主效應 41
3-3-4 製程時間主效應 42
3-3-5 研究結論與討論 43
3-4 第二次田口實驗 44
3-4-1 壓力主效應 46
3-4-2 射頻產生器功率主效應 47
3-4-3 氧氣主效應 48
3-4-4 製程時間主效應 49
3-4-5 研究結論與討論 50
第四章 實驗結果與討論 52
第五章 結論與展望 54
5-1 結論 54
5-2 展望 55
參考文獻 56
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指導教授 陳奇夆 審核日期 2012-8-5
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