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| DC.contributor | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 胡明理 | zh_TW |
| DC.creator | Ming-Li Hu | en_US |
| dc.date.accessioned | 2004-1-16T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2004-1-16T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2004 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN=85246003 | |
| dc.contributor.department | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 本論文主要研究Zn：LiNbO3晶体之生長及其物理特性，MgO與ZnO的摻雜都可使LiNbO3的抗光強度提高100倍以上，但其摻雜之濃度閥值卻不同，前者為5.0 mol% Mg：LiNbO3；後者卻為7.5 mol% Zn：LiNbO3。二種摻雜之晶体，在濃度閥值所表現的物理特性比純LiNbO3優良，尤其是Zn：LiNbO3鐵電性矯頑場的降低，已接近計量比鈮酸鋰之矯頑場強度，有助於增加週期性電疇反轉結構之厚度及工程之改善。
吾人利用柴式提拉法生長不同濃度之Zn：LiNbO3晶体，藉由穿透率，晶格常數，熱差分析，倍頻量測，OH־吸收光譜，拉曼光譜及電滯迴線的測量來分析Zn：LiNbO3晶体的特性及其摻雜機制，主要獲得以下之結果：
(1).在生長較高濃度晶体時，易發生組份過冷之現象，在晶体尾端產生所謂的分格結構，此現象可以增加溫場之溫度梯度來改善。
(2).由Zn：LiNbO3晶体的X-ray晶格常數，穿透率及拉曼光譜對氧化鋅濃度之關係，可知Zn：LiNbO3晶体在氧化鋅濃度為2.0、5.0及7.5 mol%附近有摻雜機制上的變化。
(3).隨摻雜濃度之提高，在閥值濃度之晶体，其電疇反轉之起始電場可降低至矯頑場以下，但電疇反轉之時間增加，電疇反轉後達穩定之時間減少。自發極化大小對濃度之變化並不敏感。
(4).濃度7.5 mol% Zn：LiNbO3晶体之矯頑場可降低至5.0 kV/mm以下，內場可降低至0.6 kV/mm，其數值已非常接近計量比鈮酸鋰晶体之數值。有助於週期性極化結構之改善。
(5).Zn原子進入LiNbO3晶体之取代方式，在小於5.0 mol%時，Zn以不同比例同時取代Li位置之Li及NbLi，至5.0 mol%時，NbLi被取代完畢；濃度在5.0~7.5 mol%之間，則完全取代Li位置之Li；超過7.5 mol%，則以3：1之比例取代Li及Nb。
(6).Zn離子進入LN晶格中產生(ZnLi)+及(ZnNb)3-，與(NbLi)4+比較，對鐵電性矯頑場及內場之影響程度為(NbLi)4+> (ZnNb)3- > (ZnLi)+。
實驗證明，7.5 mol% Zn：LiNbO3晶体為優良之晶体材料，其生長容易，易於加工，穿透率高，結構緊緻，非線性光學性質佳，矯頑場及內場強度小，已接近計量比鈮酸鋰之性質，在微電疇結構工程上深具發展之潛力。 | zh_TW |
| dc.description.abstract | The growth and properties of Zn:LiNbO3 crystals were investigated. | en_US |
| DC.subject | 矯頑場 | zh_TW |
| DC.subject | 鐵電性 | zh_TW |
| DC.subject | 非線性光學 | zh_TW |
| DC.subject | 週期性極化 | zh_TW |
| DC.subject | 掺鋁鈮酸鋰 | zh_TW |
| DC.subject | Period Poling | en_US |
| DC.subject | Zn | en_US |
| DC.subject | LiNbO3 | en_US |
| DC.title | Zn:LiNbO3之晶體生長與其特性研究 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.title | Growth and Properties of Zn:LiNbO3 Crystals | en_US |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |