博碩士論文 87222001 完整後設資料紀錄

DC 欄位 語言
DC.contributor物理學系zh_TW
DC.creator莊惠雯zh_TW
DC.creatorHui-wen Chuangen_US
dc.date.accessioned2000-6-29T07:39:07Z
dc.date.available2000-6-29T07:39:07Z
dc.date.issued2000
dc.identifier.urihttp://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN=87222001
dc.contributor.department物理學系zh_TW
DC.description國立中央大學zh_TW
DC.descriptionNational Central Universityen_US
dc.description.abstract本論文中以螢光光譜、邊緣幾何量測光激發光譜以及X-ray繞射光譜分析氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井磊晶之銦成份及其結構。由兩片銦成份為22%與35%之氮化銦鎵量子井試片觀察其光譜特性,並探討高銦成份之氮化銦鎵多重量子井試片在光激發光譜中數個波峰產生的原因,目前比較有可能的推論是量子能階之間的躍遷所致。除此之外,從光譜得知十分鐘900℃快速熱退火的製程對銦成份35%之高銦氮化銦鎵多重量子井結構的影響不大,但是在光性上卻有明顯的不同。zh_TW
DC.subject氮化銦鎵zh_TW
DC.subject氮化鎵zh_TW
DC.subject多重量子井zh_TW
DC.subject激發光譜zh_TW
DC.subjectInGaNen_US
DC.subjectGaNen_US
DC.subjectmultiple quantum wellen_US
DC.subjectoptical pumpingen_US
DC.title氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井的激發光譜zh_TW
dc.language.isozh-TWzh-TW
DC.titleEdge-emission and surface-emission spectra of InGaN/GaN multiple quantum well structuresen_US
DC.type博碩士論文zh_TW
DC.typethesisen_US
DC.publisherNational Central Universityen_US

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