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語言 |
| DC.contributor | 物理學系 | zh_TW |
| DC.creator | 薛道鴻 | zh_TW |
| DC.creator | Dao-Hung Xue | en_US |
| dc.date.accessioned | 2001-7-9T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2001-7-9T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2001 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN= 87222032 | |
| dc.contributor.department | 物理學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 討熱處理對氮化銦鎵量子井材料光特性的影響，第二部分的內容為探
討壓電場對氮化銦鎵量子井雷射結構在光特性上的影響。
在過去的文獻當中，有人提出對氮化銦鎵量子井材料做熱處理會
增加其光增益，但也有人提出相反的結果，因此在本論文第一部份的
模擬計算考慮了熱處理（以擴散長度Ld 來表示）及壓電場對量子井
的影響，並分為銦含量為10%和20%兩種情況，經由Fick’s law 解出
V（z）再代入薛丁格方程式，解出其eigenvalues 及eigenfunction，再
代入相關公式最後求出photon energy 與optical gain 在不同熱處理程
度下與current density 的關係。
本論文第二部份是以氮化銦鎵量子井雷射結構的材料為試片，以
optical pumping 的方式來產生stimulated emission，並找出其低溫和室
溫的threshold power density；此外，以不同的N2 laser power density
來量測試片在低溫和室溫的PL，觀察其光譜變化來探討壓電場在低
溫與室溫下的變化。 | zh_TW |
| DC.title | 熱處理對氮化銦鎵量子井雷射結構之影響與壓電效應之分析 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.title | Thermal and piezoelectric effects on the opticalproperties of InGaN-based quantum well laser structures | en_US |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |