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語言 |
| DC.contributor | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 唐邦泰 | zh_TW |
| DC.creator | Jon Tang | en_US |
| dc.date.accessioned | 2001-7-11T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2001-7-11T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2001 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN= 87226008 | |
| dc.contributor.department | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 首先，以石英玻璃為基板，將薄膜濺鍍在石英上，並改變濺鍍參數(入射功率、氣壓與氧氣流量比例)，研究薄膜的電學與光學的特性。在最佳濺鍍條件下，作出傳輸線模型元件後，以高溫爐通入氧氣、氮氣與氫氣三種氣體來做熱處理，研究不同的熱處理條件對於接觸特性的影響。
在實驗結果方面，以濺鍍機反應室氣壓10mtorr、入射功率250Watt、通入氬氣(Ar)20sccm，以ITO：ZnO厚度比例為5：1，交錯濺鍍20層之透明電極有較佳之導電性（面電阻ρS為34.8Ω/□、電阻率ρ為1.13×10-3Ω-cm）。以此條件製作出TLM元件的電極後，在氫氣環境下以500OC 熱處理5分鐘之熱處理條件，我們在N型氮化鎵的試片量測到歐姆接觸的特性（特徵電阻值ρC為3×10-4Ω-cm2），但對於P型氮化鎵則製作蕭特基二極體元件來求出位障高ΦB為0.781eV。 | zh_TW |
| DC.subject | 透明導電膜 | zh_TW |
| DC.subject | 氮化鎵 | zh_TW |
| DC.subject | 銦錫氧化膜 | zh_TW |
| DC.subject | 氧化鋅 | zh_TW |
| DC.subject | 歐姆接觸 | zh_TW |
| DC.subject | 濺鍍 | zh_TW |
| DC.subject | TCL | en_US |
| DC.subject | GaN | en_US |
| DC.subject | ITO | en_US |
| DC.subject | ZnO | en_US |
| DC.subject | ohmic | en_US |
| DC.subject | sputter | en_US |
| DC.title | 透明導電膜與氮化鎵接觸特性研究 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |