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值 |
語言 |
| DC.contributor | 電機工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 邱思涵 | zh_TW |
| DC.creator | She-Han Cho | en_US |
| dc.date.accessioned | 2000-6-15T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2000-6-15T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2000 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN=87324026 | |
| dc.contributor.department | 電機工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 在放大器之設計上，我們利用已建立大訊號模型之BJT為主動元件，配合薄膜製程完成之被動元件，並以打線做主被動元件之連接，成功地研製一1.8 GHz之放大器，在特性量測上，我們針對小訊號S參數、輸出功率、第三階交互調變失真、向量誤差百分比做量測，也針對電路做GMSK與π/4DQPSK的調變訊號量測。
在1.9~2.5 GHz壓控振盪器之設計上，我們利用已建立大訊號模型之MESFET為主動元件，配合薄膜製程完成之電感、電容以及一已包裝之壓變電容做調變頻率之用，量測包括振盪頻率、輸出功率、相位雜訊等特性。
在2.4 GHz平衡型混波器之設計上，我們利用BJT為混頻元件，並配合2.4 GHz與200 MHz之平衡器來增加隔絕度，量測包括轉換增益、隔絕度、工作頻寬、第三階交互調變截斷點、向量誤差百分比等特性，另外，也針對電路做GMSK與π/4DQPSK的調變訊號量測。
從以上電路之設計模擬與特性量測結果的吻合度觀察，我們可以驗證主被動元件模型的準確度與氧化鋁基板上薄膜製程技術之可行性，並朝著整合包括接收端與發射端之射頻前端電路來努力。 | zh_TW |
| DC.subject | 微波 | zh_TW |
| DC.subject | 降頻器 | zh_TW |
| DC.subject | microwave | en_US |
| DC.subject | downconverter | en_US |
| DC.title | 氧化鋁基板上積體化微波降頻器電路之研製 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |