博碩士論文 87324034 完整後設資料紀錄

DC 欄位 語言
DC.contributor電機工程學系zh_TW
DC.creator蔡木凱zh_TW
DC.creatorMu-Kai Taien_US
dc.date.accessioned2000-6-28T07:39:07Z
dc.date.available2000-6-28T07:39:07Z
dc.date.issued2000
dc.identifier.urihttp://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN=87324034
dc.contributor.department電機工程學系zh_TW
DC.description國立中央大學zh_TW
DC.descriptionNational Central Universityen_US
dc.description.abstract在積體電路的設計和發展上,半導體的數值模擬分析扮演一個非常重要的角色。一些在實驗上或解析模型上觀察不到的元件電性,就可藉由元件的模擬來觀察。但是在半導體元件的數值模擬過程中,往往需要解非常龐大的稀疏矩陣,所以在本論文中,將就半導體元件的模擬特性來改善階層化不完全LU分解法 (Levelized Incomplete LU method),並用來開發一個新的稀疏矩陣解法器。而在元件和半導體的混階模擬上,我們將描述載子傳輸的擴散模型藉由專業的技術加以分離,以轉換成一些等效電路元件,例如電壓控電流源、電容和電壓控制電壓源等。因此就可使用一般的電路模擬器來做混階模擬。 最後,我們將使用二極體開關電路和金氧半場效電晶體,配合新的電路模擬器進行一維和二維混階模擬,並對元件的特性進行分析和討論。在模擬過程中,我們也會比較改善後的矩陣解法和傳統解法在模擬速度上的差異。zh_TW
DC.subject階層化zh_TW
DC.subject不完全LUzh_TW
DC.subject混階zh_TW
DC.subject模擬zh_TW
DC.subjectlevelizeden_US
DC.subjectincomplete lu (ILU)en_US
DC.subjectmixed-levelen_US
DC.subjectsimulationen_US
DC.title改善後的階層化不完全LU法及其在二維半導體元件模擬上的應用zh_TW
dc.language.isozh-TWzh-TW
DC.titleAn Improved Levelized Incomplete LU Method and Its Application to 2D Semiconductor Device Simulationen_US
DC.type博碩士論文zh_TW
DC.typethesisen_US
DC.publisherNational Central Universityen_US

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