| DC 欄位 |
值 |
語言 |
| DC.contributor | 物理學系 | zh_TW |
| DC.creator | 顏璽軒 | zh_TW |
| DC.creator | Xi-Xuan Yan | en_US |
| dc.date.accessioned | 2001-7-9T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2001-7-9T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2001 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN= 88222025 | |
| dc.contributor.department | 物理學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | i
加41.4﹪）。同時因電流阻隔層造成之串連電阻上升（電阻增加11.36﹪），而可能增加之熱量累積，從元件之電激光譜觀察，光譜之峰值並未因電流阻隔層的存在而產生紅移的現象，且光譜的半高寬也未見增加。可知電流阻隔區在增加元件發光強度之餘，並未嚴重影響二極體發光的波長之單一性，因此大大增加了以離子佈植製作高亮度發光二極體的實用性。 | zh_TW |
| DC.title | 離子佈植技術應用於高亮度發光二極體之設計與製作 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.title | The Device Design and Fabrication of High Brightness Light Emitting Diode by Ion Implantation. | en_US |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |