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DC.contributor | 化學學系 | zh_TW |
DC.creator | 許家豪 | zh_TW |
DC.creator | Jia-Hao Xu | en_US |
dc.date.accessioned | 2001-7-6T07:39:07Z | |
dc.date.available | 2001-7-6T07:39:07Z | |
dc.date.issued | 2001 | |
dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN= 88223008 | |
dc.contributor.department | 化學學系 | zh_TW |
DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
DC.description | National Central University | en_US |
dc.description.abstract | 本論文報導利用 in-situ scanning tunneling microscopy(STM) 觀察碘原子在鉑(100)電極表面的吸附結構,包括(O2 × 5O2)- R 45°(覆蓋度為0.6 ML),而(O2 × 9O2)- R 45°的覆蓋度只有0.55 ML。
銅在碘修飾的鉑(100)之 underpotential deposition (UPD)情形,由cyclic voltammograms (CV)結果得知在鉑(100)上碘原子形成一吸附層,它的存在使銅的 UPD向負電位延遲了300毫伏才發生,在此銅、碘是扮演競爭者的角色。此外,連續掃瞄所得之 CV圖顯示銅的沈積,造成碘原子結構的不可逆。高解析度的 STM顯示碘吸附的原子結構和銅沈積的過程,由於碘原子的吸附位置決定了它們和鉑電極表面的鍵結強度,吸附能量較低的碘原子將選擇性的被銅原子先行取代,所以造成具有方向性的銅原子沈積,無論碘的結構為(O2 × 5O2)- R 45°或(O2 × 9O2)- R 45°都有此現象。此外,銅沈積在(O2 × 9O2)- R 45°-碘的 STM圖像知道銅的吸附及脫附是可逆的。在高解像的 STM圖像中,知道鍍滿單層銅後的碘原子結構為c(2 × 2),銅的結構為p(1 × 1),形成碘-銅-鉑的三明治結構。而碘原子的結構由(O2 × 5O2)- R 45°轉變成c(2 × 2),此一結構的轉變使碘原子的覆蓋度減少17 %,這些多餘的碘原子則在電極表面形成島狀物。STM亦顯示在沈積雙層的銅原子後上層的碘仍是形成c(2 × 2)的結構,因此意味第二層的銅原子排列和第一層相同。
對於銀沈積在碘修飾的鉑(100)而言,由 CV圖得知碘會造成銀的沈積較正的電位發生,意指碘對銀的沈積有輔助作用。在高解像的 STM圖像中,我們可清楚的觀察到銀在碘吸附的鉑(100)之沈積過程,首先銀的沈積是從表面的缺陷例如台階邊緣或是低覆蓋度的碘開始,爾後逐漸由台階往平台中央部分成長,最後整個平台會形成一壓縮結構。STM圖像的高度差顯示銀的UPD造成單層的銀原子位於碘和鉑的中間,這和過去研究銀在鉑(111)上的沈積發現形成二層銀原子的結果完全不同。此外,在銀的 overpotential deposition (OPD)中碘的結構會以c(2 × 2)存在,故多層的銀形成p(1 × 1)的結構。 | zh_TW |
DC.subject | 銅 | zh_TW |
DC.subject | 銀 | zh_TW |
DC.subject | 鉑 | zh_TW |
DC.title | 使用in-situ STM和循環伏安儀研究銅和銀在碘修飾的鉑(100)電極之沈積過程 | zh_TW |
dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
DC.type | thesis | en_US |
DC.publisher | National Central University | en_US |