博碩士論文 88226005 完整後設資料紀錄

DC 欄位 語言
DC.contributor光電科學與工程學系zh_TW
DC.creator黃佳琪zh_TW
DC.creatorJia-Qi Huangen_US
dc.date.accessioned2001-7-3T07:39:07Z
dc.date.available2001-7-3T07:39:07Z
dc.date.issued2001
dc.identifier.urihttp://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN= 88226005
dc.contributor.department光電科學與工程學系zh_TW
DC.description國立中央大學zh_TW
DC.descriptionNational Central Universityen_US
dc.description.abstract最後為瞭解氧偏壓大小對材料導電率的影響為何,同時找出不同氧偏壓和Defect Chemistry之間的一些關聯性。我們將一摻銠鈦酸鋇晶體進行不同還原程度的高溫導電率之量測,所使用的溫度分別為800℃、900℃與1000℃。由實驗的結果發現不同溫度下, 對 ( :高溫導電率, :氧偏壓)的圖形趨勢皆為V字型,且n-type及p-type區域的斜率分別非常接近理論值的 和 。zh_TW
DC.subject摻銠鈦酸鋇單晶zh_TW
DC.subject氧化還原zh_TW
DC.subject光致吸收光譜zh_TW
DC.subject雙波混合zh_TW
DC.subject光致衰減zh_TW
DC.subject高溫導電率zh_TW
DC.subject電荷轉移zh_TW
DC.subject光折變zh_TW
DC.title 摻銠鈦酸鋇單晶的氧化還原與光折變性質zh_TW
dc.language.isozh-TWzh-TW
DC.type博碩士論文zh_TW
DC.typethesisen_US
DC.publisherNational Central Universityen_US

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