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語言 |
| DC.contributor | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 黃佳琪 | zh_TW |
| DC.creator | Jia-Qi Huang | en_US |
| dc.date.accessioned | 2001-7-3T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2001-7-3T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2001 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN= 88226005 | |
| dc.contributor.department | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 最後為瞭解氧偏壓大小對材料導電率的影響為何，同時找出不同氧偏壓和Defect Chemistry之間的一些關聯性。我們將一摻銠鈦酸鋇晶體進行不同還原程度的高溫導電率之量測，所使用的溫度分別為800℃、900℃與1000℃。由實驗的結果發現不同溫度下， 對 ( ：高溫導電率， ：氧偏壓)的圖形趨勢皆為V字型，且n-type及p-type區域的斜率分別非常接近理論值的 和 。 | zh_TW |
| DC.subject | 摻銠鈦酸鋇單晶 | zh_TW |
| DC.subject | 氧化還原 | zh_TW |
| DC.subject | 光致吸收光譜 | zh_TW |
| DC.subject | 雙波混合 | zh_TW |
| DC.subject | 光致衰減 | zh_TW |
| DC.subject | 高溫導電率 | zh_TW |
| DC.subject | 電荷轉移 | zh_TW |
| DC.subject | 光折變 | zh_TW |
| DC.title | 摻銠鈦酸鋇單晶的氧化還原與光折變性質 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |