博碩士論文 88321005 完整後設資料紀錄

DC 欄位 語言
DC.contributor化學工程與材料工程學系zh_TW
DC.creator翁維祥zh_TW
DC.creatorWei-Hsiang Wengen_US
dc.date.accessioned2001-7-13T07:39:07Z
dc.date.available2001-7-13T07:39:07Z
dc.date.issued2001
dc.identifier.urihttp://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN= 88321005
dc.contributor.department化學工程與材料工程學系zh_TW
DC.description國立中央大學zh_TW
DC.descriptionNational Central Universityen_US
dc.description.abstract銅箔基板為製造印刷電路板最主要之基本產品,銅箔基板之製程中分成幾個主要的階段,由一開始調配好之含浸液(A階段),經由恆溫含浸機製作所得之膠片(B階段),到最後利用銅箔與膠片在高溫熱壓的條件下製成銅箔基板(C階段)。 本論文中,主要針對如何縮短B階段到C階段銅箔基板的製程時間,探討利用不同形態之環氧樹脂的添加,期待B階段能夠達到較高的轉化率,進而縮短B階段至C階段的製程時間。 本研究分別針對銅箔基板製程中三個主要階段做不同方向之探討。在A階段時,分別利用微差掃描熱分析儀(DSC)以及膠質滲透層析儀(GPC)等儀器量測樹脂之反應性,希望能夠提升樹脂之轉化率及將黏度控制在一穩定範圍,利於後段製程之加工。而B階段時,主要利用微差掃描熱分析儀(DSC)量測膠片之Tg達穩定之時間及其溫度。最終將膠片與銅箔熱壓成為銅箔基板,並量測剝離強度、耐熱性、吸水率等性質。由實驗結果可以證明調整後之含浸液在較短熱壓時間可以達到同樣之機械性質,因此證明此含浸液有助於縮短製程中B階段至C階段所需之時間。zh_TW
DC.subject印刷電路板zh_TW
DC.subject銅箔基板zh_TW
DC.subject環氧樹脂zh_TW
DC.title 銅箔基板環氧樹脂含浸液之研究zh_TW
dc.language.isozh-TWzh-TW
DC.type博碩士論文zh_TW
DC.typethesisen_US
DC.publisherNational Central Universityen_US

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