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DC.contributor | 化學工程與材料工程學系 | zh_TW |
DC.creator | 賴義凱 | zh_TW |
DC.creator | Yi-Kai Lai | en_US |
dc.date.accessioned | 2001-7-9T07:39:07Z | |
dc.date.available | 2001-7-9T07:39:07Z | |
dc.date.issued | 2001 | |
dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN= 88321007 | |
dc.contributor.department | 化學工程與材料工程學系 | zh_TW |
DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
DC.description | National Central University | en_US |
dc.description.abstract | 隨著半導體技術的進步,金屬導線層的數目增加及導線間的距離不斷縮小,使得元件的尺寸也不斷地縮小,在線寬小於0.25 mm以下,電子訊號在金屬連線間傳送時,金屬連線的電阻-電容延遲時間 (RC delay time),變成半導體元件速度受限的主要原因,為了降低訊號傳遞時間的延遲,現今已發展以金屬銅 (電阻率為 2.7 mW-cm) 成為導線的連線系統,進而降低金屬導線的電阻值。另一方面則是利用低介電常數 (low-k) 材料來降低電容,傳統上以化學氣相沈積法,長出來的金屬內層介電材料,如TEOS的介電常數值大約為3.9~4.1之間, | zh_TW |
DC.subject | 電子束微影 | zh_TW |
DC.subject | e-beam | en_US |
DC.title | 低介電常數材料於電子束微影製程上的應用 | zh_TW |
dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
DC.title | Direct Nano pattern Definition for Low-k Dielectric Layer by using Electron Beam Exposure | en_US |
DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
DC.type | thesis | en_US |
DC.publisher | National Central University | en_US |