| dc.description.abstract | 本研究係以傳統的DNQ系列中的5-NDSC為光敏感基團，和甲基丙烯酸酯系列的單體進行共聚合，以製備具有良好物性且可應用於I-line（365nm）光源的正型光阻（Photo resist）。
首先將光敏感物質（5-NDSC）分別與甲基丙烯酸（MAA）單體和甲基丙烯酸-2-羥基乙酯（2-HEMA）單體，在鹼性環境下進行酯化（Esterification）反應，並藉由繁複的純化步驟將產物純化，以合成光敏感單體（Photo active compound, PAC）PAC（A）（1,2-Naphthoquinone-2-diazido-5-sulfonyl methacrylic ester）和PAC（B）（2-ethoxyl(1,2-Naphthoquinone-2-diazido-5-sulfonyl) methacrylic ester）。而研究所得的產物藉由核磁共振光譜分析儀（NMR）、霍式轉換紅外線光譜分析儀（FTIR）和熱重分析儀（TGA），分析證明產物個別的結構與其物性確為預期目標。
另外，利用微量注入法（Micro-injection）同時導入偶氮異二丁月青（AIBN）和正十二硫醇（12-thiol），和甲基丙烯酸（MAA）單體、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯（2-HEMA）單體與甲基丙烯酸（3,3,5-三甲基）環己酯（TMCHMA）單體進行共聚合成為Binder（1）----THM樹脂基材，同於上述，只是將甲基丙烯酸（3,3,5-三甲基）環己酯單體置換成AdMA單體以進行共聚合成為Binder（2）----AHM樹脂基材。接著則將產物進行熱重分析儀（TGA），以便分析證明其物性確為預期目標。
最後則個別將兩種不同的PAC分別和兩種不同的樹脂基材，在偶氮異二丁月青（AIBN）的起始下進行共聚合，因而得到四種不同結構的光阻（Photo resist）材料，而且產物轉化率極高。接著將實驗所得的產物進行波長365nm的I-line光源微影製程（Lithography）測試，並用光學顯微鏡觀察圖像（Pattern）型態，以確定其展現出正型光阻的特性。並將產物進行熱重分析儀（TGA）和掃瞄式電子顯微鏡（SEM）等儀器分析，結果顯示產物的物性、熱性質確實相當良好，而且微影結構的圖像尚可，證實本研究所製備的正型光阻材料確可應用於I-line光源的微影製程。
由於本研究所採用的單體除了光敏感物質（5-NDSC）之外，其餘單體皆為甲基丙烯酸酯系列的結構，因此可以提供整個系統較佳的物理特性，而且系統中並無苯環結構的基團出現，因此可以降低傳統的DNQ/Novolak系統正型光阻在波長248nm地方會有強烈吸收的問題，所以實驗所得的產物除了可以應用於I-line光源之外，也可以應用於KrF（248nm）的光源系統。
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