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語言 |
| DC.contributor | 機械工程研究所 | zh_TW |
| DC.creator | 蔡志昌 | zh_TW |
| DC.creator | Chih-Chang Chai | en_US |
| dc.date.accessioned | 2001-7-11T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2001-7-11T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2001 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN=88323041 | |
| dc.contributor.department | 機械工程研究所 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 本論文以光電化學方法，在n-型（100 ）單晶矽上蝕刻獲得均勻
之微米級孔洞。研究方法首先採用直流電陽極動態極化法，在氟化物
及氫氧化物溶液中，探討添加劑、照光強度等參數對n-型（100 ）單
晶矽的陽極極化曲線的影響，進而在各種蝕刻液中找出最佳蝕刻液參數。
研究結果顯示：試片1 在照光環境下，以C 、 D 及F 等蝕刻液中
均可得到較快的蝕刻速率。
經由陽極動態極化曲線選取特定電位，針對n-型（100 ）單晶矽
進行定電位蝕刻，結果顯示孔洞生成速率依序為：C ＞D ＞F ，然而
比較孔洞內部形態，發現在D 蝕刻液中所得孔洞壁有較平滑且均勻。
若以n-型（100 ）單晶矽進行化學預蝕刻出特定圖樣之孔洞，然
後進行電化學蝕刻，可獲得矩陣式排列之孔洞。
本研究進一步以陽極動態極化及定電位蝕刻方法來探討此一具
預蝕孔圖樣之n-型單晶矽，以獲得電化學蝕刻最適當參數條件。 | zh_TW |
| DC.subject | 光電化學 | zh_TW |
| DC.subject | 巨孔洞 | zh_TW |
| DC.subject | 蝕刻 | zh_TW |
| DC.subject | 陽極極化 | zh_TW |
| DC.subject | anodic polarization | en_US |
| DC.subject | photo-electrochemical | en_US |
| DC.title | 光電化學蝕刻n-型（100）單晶矽獲得矩陣排列之巨孔洞研究 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.title | Photo —Electrochemical etching on the n-type(100) of silicon single crystal to obtain array of macropores | en_US |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |