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語言 |
| DC.contributor | 電機工程研究所 | zh_TW |
| DC.creator | 甘佳民 | zh_TW |
| DC.creator | Jian-Ming Gan | en_US |
| dc.date.accessioned | 2001-7-17T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2001-7-17T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2001 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN=88521008 | |
| dc.contributor.department | 電機工程研究所 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 在磊晶氮化鎵於藍寶石基板上時，由於晶格不匹配，導致在氮化鎵與基板介面間產生線差排，而此差排會往上延伸到表面，如此會降低材料中的電子遷移率。有論文發表在磊晶緩衝層時，若於緩衝層中加入了AlN interlayer可以減少這線差排。本文旨要在分析加入了這AlN interlayer以後，除了改善我們磊晶的品質外，觀看這是否會對我們元件特性有其它影響。除了元件特性外，本文尚討論了AlN interlayer與AlGaN對二維電子海的影響。 | zh_TW |
| DC.subject | 中間層 | zh_TW |
| DC.subject | 氮化鋁 | zh_TW |
| DC.subject | 氮化鋁鎵/氮化鎵 | zh_TW |
| DC.subject | 氮化鎵 | zh_TW |
| DC.subject | 異質接面場效電晶體 | zh_TW |
| DC.subject | AlGaN/GaN | en_US |
| DC.subject | AlN | en_US |
| DC.subject | GaN | en_US |
| DC.subject | HFET | en_US |
| DC.subject | interlayer | en_US |
| DC.title | 氮化鋁中間層對氮化鋁鎵/氮化鎵異質接面場效電晶體之影響 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |