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語言 |
| DC.contributor | 電機工程研究所 | zh_TW |
| DC.creator | 許宏造 | zh_TW |
| DC.creator | Hong-Zhau Xu | en_US |
| dc.date.accessioned | 2001-7-13T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2001-7-13T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2001 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN=88521014 | |
| dc.contributor.department | 電機工程研究所 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 本論文主要研究內容在於氮化鎵通道摻雜場效電晶體的製作與量測。藉由電晶體的直流量測，整理出撞擊游離係數對電場的關係，以得到氮化鎵崩潰電場強度。而在電晶體特性量測方面，包括直流、高頻與功率電晶體的功率特性。在直流量測中，發現了存在於電晶體的陷井(trap)所造成的電流坍塌現象(current collapse)。在功率電晶體的量測方面，試著分析電流坍塌現象對電晶體影響的機制，並在量測不同閘極寬度的電晶體同時，提出熱效應(self-heating)的問題。對於sapphire基板所造成的熱效應問題，藉由元件隨環境溫度改變而變化的直流特性，計算出sapphire基板熱阻值。並針對本論文中所使用到的功率電晶體，建立其小訊號等效電路模型，利用“Cold FET”量測方式萃取出外部寄生元件參數，並由矩陣與數學運算得到與元件偏壓條件有關的內部本質元件參數，最後完成模型建立，並與實際高頻量測結果比較。 | zh_TW |
| DC.subject | 小訊號等效電路模型 | zh_TW |
| DC.subject | 氮化鎵 | zh_TW |
| DC.subject | 異質結構場效電晶體 | zh_TW |
| DC.title | 氮化鎵異質結構場效電晶體製作與特性分析 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |