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語言 |
| DC.contributor | 電機工程研究所 | zh_TW |
| DC.creator | 王瑞慶 | zh_TW |
| DC.creator | Ruan-Qing Wang | en_US |
| dc.date.accessioned | 2001-7-5T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2001-7-5T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2001 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN=88521017 | |
| dc.contributor.department | 電機工程研究所 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 在本論文中，我們著重的是AlGaAs/GaAs異質接面雙極性電晶體的製作並討論其特性。在製作的過程中，我們利用材料的晶格方向的蝕刻特性，設計了self-aligned及non-self-aligned兩種不同的製程方式。其中self-aligned的製程中有利於降低基極的電阻及CBC，如此的特性會增加fT及fMAX的頻率響應。 Self-aligned HBT的fT = 34 GHz，fMAX = 30 GHz； Non-self-aligned HBT 的fT = 31 GHz，fMAX = 17.75 GHz。
在VCO電路的應用上，利用在製作HBT的過程中基極及集極的p-n接面製作變容二極體，以達成異質接面雙極性電晶體及變容二極體的整合製程。此外HBT比本質接面雙極性電晶體( BJT )元件有更好的頻率響應，如此可設計出在單晶微波積體電路（MMIC）上之高頻壓控振盪器（VCO）。文中介紹了1.8 GHz與5.8 GHz VCO的設計與模擬，並量測 1.8 GHz VCO的量測特性為：Varactor 電壓為0時，輸出的頻率為2.1 GHz，輸出功率為0.43 dBm，相位雜訊為-76 dBc/Hz。 | zh_TW |
| DC.subject | 單晶微波積體電路 | zh_TW |
| DC.subject | 本質接面雙極性電晶體 | zh_TW |
| DC.subject | 異質接面雙極性電晶體 | zh_TW |
| DC.subject | 變容二極體 | zh_TW |
| DC.subject | 高頻壓控振盪器 | zh_TW |
| DC.subject | AlGaAs/GaAs | en_US |
| DC.subject | MMIC | en_US |
| DC.subject | non-self-aligned | en_US |
| DC.subject | self-aligned | en_US |
| DC.subject | VCO | en_US |
| DC.title | 砷化鋁鎵/砷化鎵異質接面雙極性電晶體之研製及壓控振盪器設計與製程 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |