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語言 |
| DC.contributor | 電機工程研究所 | zh_TW |
| DC.creator | 梁虔碩 | zh_TW |
| DC.creator | Chieh-shuo Liang | en_US |
| dc.date.accessioned | 2001-7-5T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2001-7-5T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2001 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN=88521020 | |
| dc.contributor.department | 電機工程研究所 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 在本論文中，利用AlGaAs/GaAs異質接面雙極性電晶體的基極到次集極磊晶結構中所衍生的PIN光二極體，利用一套光罩同時製作了PIN光二極體、AlGaAs/GaAs異質接面雙極性電晶體和光偵測波長為850nm的2.5 Gb/s PIN/HBT積體化光接收器。
在PIN光二極體的部份考慮到降低接面電容與耦光難易二部份，選擇了適當的元件佈局。在這樣的考量下得到量子效率η=43%，光響應度R= 0.3 A/W。並利S參數的量測和HP-ADS軟體的模擬萃取了PIN光二極體的小訊號模型。並依照小訊號模型的結果選擇-5V作為PIN光二極體的偏壓。
在異質接面雙極性電晶體的部分，本論文中製作了射極面積為3x12μm2和4x12μm2二種尺寸的元件。在相同的電流密度下進行量測得到AE=3x12μm2的AlGaAs/GaAs HBT，fT為28GHz，fmax為16.25GHz。AE=4x12μm2的AlGaAs/GaAs HBT，fT為24.51GHz，fmax為13.45GHz。
論文最後利用前面章節所萃取的元件模型進行了電路的模擬，再依模擬的結果設計了光罩並完成2.5 Gb/s積體化光接收器的製作。轉阻放大器電路低頻增益值為44dBΩ(159Ω)，電路的f3dB為3.65GHz。 | zh_TW |
| DC.subject | 光二極體 | zh_TW |
| DC.subject | 光接收器 | zh_TW |
| DC.subject | 光檢器 | zh_TW |
| DC.subject | 異質接面雙極性電晶體 | zh_TW |
| DC.subject | 轉阻放大器 | zh_TW |
| DC.subject | HBT | en_US |
| DC.subject | photoreceiver | en_US |
| DC.subject | PIN | en_US |
| DC.subject | transimpedance amplifier | en_US |
| DC.title | AlGaAs/GaAs PIN/HBT 光檢器/轉阻放大器之積體化光接收器 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |