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語言 |
| DC.contributor | 電機工程研究所 | zh_TW |
| DC.creator | 王洲仁 | zh_TW |
| DC.creator | Chou-Jen Wang | en_US |
| dc.date.accessioned | 2001-6-26T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2001-6-26T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2001 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN=88521023 | |
| dc.contributor.department | 電機工程研究所 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 本論文主要內容包含兩個部分：一是利用實驗室自行研發完成的螺旋型電感、MIM披覆式電容等被動元件，加上已建立大訊號模型之主動元件，在氧化鋁基板上以MIC形式，綜合過去的研究成果以及自行設計的成果，研製射頻2.4 GHz接收端模組；一是利用多孔性二氧化矽(Porous Silica)改善矽基板在微波頻段的基板損耗的研究。
在2.4 GHz射頻接收端模組電路部分，包含低雜訊放大器、帶通濾波器、混波器及壓控振盪器等各級電路的設計及製作，以及各電路加以整合後的設計及製作。其中低雜訊放大器及壓控振盪器所使用的主動元件為Fujitsu所生產的FSX027X，混波器則使用蕭特基二極體（Shottky Diode）設計單平衡型二極體混波器。在量測方面，包含轉換增益、隔絕度、工作頻寬、雜訊指數、第三階交互調變截斷點、放大器的小訊號S參數等。
多孔性二氧化矽(Porous Silica)改善矽基板在微波頻段的基板損耗的研究部分，係以工研院化工所提供的多孔性二氧化矽，以旋轉塗佈(Spin Coating)的方式鍍在矽基板上，而後在其上製作本實驗室所研製的螺旋型電感，在經由量測S參數並經過參數的轉換後進行不同材料上所製作的電感其品質因數(Q factor)以及電感值比較與分析，而後再進行電感模型的建立，以分析在微波頻段的基板損耗的量的比較。 | zh_TW |
| DC.subject | 低通濾波器 | zh_TW |
| DC.subject | 多孔性二氧化矽 | zh_TW |
| DC.subject | 帶通濾波器 | zh_TW |
| DC.subject | 接收端模組 | zh_TW |
| DC.subject | band pass filter | en_US |
| DC.subject | Low Pass Filter | en_US |
| DC.subject | porous silica | en_US |
| DC.subject | Receiver Module | en_US |
| DC.title | 氧化鋁基板微波電路積體化之2.4 GHz接收端模組研製 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.title | 2.4 GHz Receiver Module Implementation by MIC Technology on Alumina substrate | en_US |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |