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語言 |
| DC.contributor | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 江博仁 | zh_TW |
| DC.creator | Bo-Ren Jiang | en_US |
| dc.date.accessioned | 2002-7-11T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2002-7-11T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2002 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN=89226029 | |
| dc.contributor.department | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 本文的實驗是研究矽離子佈值於鎂摻雜p 型氮化鎵的特性研
究，以40keV 、70keV 、150keV 等不同能量及5×10 16 ，5×10 17 ，5×10 18 ，
1×10 20 cm -3 等不同佈植濃度，佈植在濃度為3.4 ×10 17 cm -3 之鎂摻雜p
型氮化鎵上，藉以了解矽離子佈植後的氮化鎵試片特性。
在光特性方面，利用拉曼 (Raman) 量測顯示，佈植造成的缺陷
在熱處理過程中會有相互聚集的現象，然後才是缺陷的消除；利用光
激發螢光光譜(photoluminescence)的量測顯示，矽離子佈植會將原本p
型氮化鎵的藍光發光機制(2.8eV)減弱，而產生黃光放射的發光機制。
在電性方面，由霍爾量測顯示，佈植入的矽離子濃度一旦大於p
型氮化鎵的電洞濃度，便可將試片轉變為n 型的氮化鎵，而且由於佈
植所留下來的傷害影響，電子遷移率會有大幅降低的現象；然後再以
蕭特基二極體做深層能階暫態(deep-level transient spectroscopy)量
測，顯示材料中之原生缺陷(native defect)的變化，所以在高濃度佈植
後轉變為n 型氮化鎵，鎵空缺(gallium vacancy)的缺陷能階因為形成
能降低而增加，說明了材料中補償效用的影響機制。 | zh_TW |
| dc.description.abstract | p-type GaN can be converted to n-type by
Si + ion implantation. We used AFM, XRD, PL, Raman
scattering, Hall, and DLTS measurement to investigate the mechanism of this conversion. | en_US |
| DC.subject | 氮化鎵 | zh_TW |
| DC.subject | 離子佈植 | zh_TW |
| DC.subject | implantation | en_US |
| DC.subject | GaN | en_US |
| DC.title | 矽離子佈植於p型氮化鎵之特性研究 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.title | Investigation of Si-implanted p-type GaN | en_US |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |