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語言 |
| DC.contributor | 電機工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 林鴻書 | zh_TW |
| DC.creator | Hong-Shu Lin | en_US |
| dc.date.accessioned | 2002-6-25T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2002-6-25T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2002 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN=89521033 | |
| dc.contributor.department | 電機工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 摘要
本論文主要研究方向大致上可分為：
(1) 比較四元氮化鋁銦鎵(AlInGaN)位障層與二元氮化鎵(GaN)位障層對紫外光發光二極體(UV-LED)發光機制之影響
(2) 比較不同濃度矽(Si)摻雜之四元氮化鋁銦鎵位障層對紫外光發光㆓極體(UV-LED)發光機制之影響。
量測方面，主要利用變溫電激光譜(EL).變溫光激光譜(PL) 等量測方法，藉由分析量測結果加以研究UV-LED發光機制之不同，首先當以四元氮化鋁銦鎵取代二元氮化鎵為UV-LED之位障層時，將可有效提高發光效率，主要是因為增加載子侷限(carrier-confinement)能力，以及改善量子井材料特色，減少缺陷產生。
至於，比較不同濃度矽(Si)摻雜之四元氮化鋁銦鎵位障層，發現適度矽摻雜將可有效提高發光效率，然而，過度矽摻雜將會導致發光效率減弱，其主要原因為適度矽摻雜將導致局部侷限能態(Localized-state)產生，增加載子侷限，避免載子被非輻射復合中心(Nonradiative-recombination center)所捕捉，相對地，將提高UV-LED發光效率。 | zh_TW |
| dc.description.abstract | Optical Properities of UV-LED with Si doped Quaternary Barriers | en_US |
| DC.subject | 氮化銦鎵 | zh_TW |
| DC.subject | 位障層 | zh_TW |
| DC.subject | 發光二極體 | zh_TW |
| DC.subject | UV-LED | en_US |
| DC.subject | AlInGaN | en_US |
| DC.subject | barrier | en_US |
| DC.title | 不同濃度矽摻雜之氮化鋁銦鎵位障層對紫外光發光二極體發光機制之影響 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.title | Optical Properities of UV-LED with Si doped Quaternary Barriers | en_US |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |