博碩士論文 89521038 完整後設資料紀錄

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DC.contributor電機工程學系zh_TW
DC.creator蘇碩彬zh_TW
DC.creatorShuo-Bing Suen_US
dc.date.accessioned2002-7-15T07:39:07Z
dc.date.available2002-7-15T07:39:07Z
dc.date.issued2002
dc.identifier.urihttp://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN=89521038
dc.contributor.department電機工程學系zh_TW
DC.description國立中央大學zh_TW
DC.descriptionNational Central Universityen_US
dc.description.abstract在本論文中,利用一回授電流源加在Gummel-Poon本質模型的基射極間模擬異質接面雙極性電晶體的熱效應,且加入元件之寄生效應以建立異質接面雙極性電晶體大訊號等效電路模型,對於直流、交流和非線性特性都能準確的模擬,此模型可以應用於一般實際的微波電路設計。 利用單晶微波積體電路的製程,用InGaP/GaAs HBT設計出一個應用於5.2 GHz WLAN系統的兩級功率放大器,。 利用異質接面雙極性電晶體的基射極接面之二極體配合一並聯電容組合一主動偏壓電路,在不犧牲額外的功率損耗情形下,取代傳統電阻式偏壓方式,設計出一個單級功率放大器,可以改善功率放大器非線性因素—增益壓縮。zh_TW
DC.subject異質接面雙極性電晶體zh_TW
DC.subject大訊號模型zh_TW
DC.subject功率放大器zh_TW
DC.subjectlarge signal modelen_US
DC.subjectpower amplifieren_US
DC.subjectHBTen_US
DC.title異質接面雙極性電晶體之大訊號模型建立及其在功率放大器之應用zh_TW
dc.language.isozh-TWzh-TW
DC.titleA Large-Signal Model Establishment and Power Amplifier Application of HBTsen_US
DC.type博碩士論文zh_TW
DC.typethesisen_US
DC.publisherNational Central Universityen_US

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