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語言 |
| DC.contributor | 電機工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 蘇珍儀 | zh_TW |
| DC.creator | Jen-Yi Su | en_US |
| dc.date.accessioned | 2003-6-25T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2003-6-25T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2003 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN=90521026 | |
| dc.contributor.department | 電機工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 摘要
因為無線通訊的蓬勃發展，為了產品的低成本及整合度上的需要，所以近幾年來CMOS在製程技術上不斷進步，使它的高頻電路應用上有不錯的表現，以至於主導了在5 GHz以下的射頻無線通訊電路設計。但在功率放大器的設計上，還是有相當多的設計以GaAs為主。因為GaAs的工作頻率及特性都來的比CMOS好，但唯有缺點就是價格貴。所以在本論文中，第二章介紹了功率放大器的原理及設計方法，並且以GaAs的製程設計了兩級的功率放大器，量測結果再跟模擬做一比較。在第三章中，介紹振盪器的原理與設計方法，以及設計一個振盪在5.2 GHz的壓控振盪器。第四章所介紹的是升頻電路，以CMOS的製程來做設計，其中包括混頻器及功率放大器，而本地振盪源訊號由外部提供，並沒有做在晶片之內。最後第五章以封裝實做為主，將第二章所做的功率放大器晶片請日月欣幫忙封裝，要來探討封裝對於5.2 GHz電路的影響，及其所造成的效應 | zh_TW |
| DC.subject | 封裝 | zh_TW |
| DC.subject | 升頻器 | zh_TW |
| DC.subject | 混頻器 | zh_TW |
| DC.subject | 壓控振盪器 | zh_TW |
| DC.subject | 功率放大器 | zh_TW |
| DC.subject | packaging | en_US |
| DC.subject | up-converter | en_US |
| DC.subject | mixer | en_US |
| DC.subject | VCO | en_US |
| DC.subject | power amplifier | en_US |
| DC.subject | IEEE 802.11a | en_US |
| DC.title | C頻帶射頻電路設計及模組封裝 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.title | C band RF circuit and package design | en_US |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |