| DC 欄位 |
值 |
語言 |
| DC.contributor | 電機工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 蔣國軍 | zh_TW |
| DC.creator | Kuo-Chun Chiang | en_US |
| dc.date.accessioned | 2005-6-28T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2005-6-28T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2005 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN=91521056 | |
| dc.contributor.department | 電機工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 覆晶式氮化鎵藍光發光二極體比正面發光式氮化鎵藍光發光二極體有提高發光亮度以及可增加熱散逸的能力，減緩因熱累積而造成的效率下降等好處，所以覆晶式氮化鎵藍光發光二極體已經成為LED產業的主流產品。本篇論文研究將針對鈦/鋁/鈦/金 (Ti/Al/Ti/Au)、鉻/鋁/鉻/金 (Cr/Al/Cr/Au)、鉻/鈦/金(Cr/Ti/Au) 金屬組合，在n型氮化鎵歐姆接觸電極和p型氮化鎵材料上高反射率金屬電極同時製作，不須做n型氮化鎵歐姆接觸電極的金屬融合(Alloy) 和蒸鍍焊墊金屬層 (Bonding Pad)，以減少製程步驟和節省材料成本，並且探討這些金屬組合的熱穩定性，觀察發光二極體電流–電壓特性變化以及光反射強度的改變。 | zh_TW |
| DC.subject | 藍光發光二極體 | zh_TW |
| DC.subject | 覆晶式 | zh_TW |
| DC.subject | GaN blue LEDs | en_US |
| DC.subject | Flip-Chip | en_US |
| DC.title | 覆晶式藍光發光二極體製程技術之研究 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.title | The Study of Process Technique for Flip-Chip Blue Light Emitting Diodes (LEDs) | en_US |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |