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語言 |
| DC.contributor | 物理學系 | zh_TW |
| DC.creator | 莊財福 | zh_TW |
| DC.creator | Tsai-Fu Chuang | en_US |
| dc.date.accessioned | 2005-7-20T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2005-7-20T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2005 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN=92222012 | |
| dc.contributor.department | 物理學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 本篇論文利用光激發螢光光譜、微光激發螢光光譜及原子力顯微鏡，來研究高銦含量氮化銦鎵（InxGa1-xN）薄膜結構的發光特性。
由光激發螢光光譜，觀察在室溫下氮化銦鎵合金濃度分佈在0 ≦ x ≦ 1之間的發光位置。在原子力顯微鏡的影像發現，高銦含量（0.92≦ x ≦ 0.36）的氮化銦鎵表面有團狀物的形成，同時在變溫光譜中，其訊號峰值隨溫度上升，有一S型的能量變化外，半高寬變化也有不規則的改變。最後藉由不同位置及溫度改變的微光激發螢光光譜，來加以探討這些不尋常現象的原因。 | zh_TW |
| DC.subject | 氮化銦鎵 | zh_TW |
| DC.title | 高銦含量氮化銦鎵薄膜之光學性質研究 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.title | Optical characteristics of In-rich InGaN thin film | en_US |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |