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語言 |
| DC.contributor | 機械工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 蘇清源 | zh_TW |
| DC.creator | Ching-Yuan Su | en_US |
| dc.date.accessioned | 2005-7-1T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2005-7-1T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2005 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN=92323023 | |
| dc.contributor.department | 機械工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 奈米碳管於1991年發現以來，已經被證實具有多種獨特的材料性質，因此也被應用在許多的領域，然而如何控制奈米碳管之定位、定向及定量的成長，至今仍是奈米碳管於實際應用上的一個瓶頸。回顧過去文獻，已經有許多控制成長的方法被提出，但仍然無法提供一高良率且製程簡易之方法。因此探討奈米碳管控制成長之方法及其機制，是本論文的研究主題。
本論文提出三種定位成長奈米碳管的方法 : (1)引洞成長(CNTs growth in holes) (2)旋塗催化微粒(spin-on iron catalysts) (3)舉離法(lift-off method)。並以thermal CVD及MPCVD成長奈米碳管，探討電漿功率、成長溫度及碳源比例等參數，對奈米碳管結構及定位成長之影響。由實驗結果分析，引洞成長奈米碳管並以電子束鄰近效應縮小孔徑至0.1μm，可提高孔洞內成長單根奈米碳管之良率。此外，比較三種定位成長奈米碳管的方法，以舉離法可以定位成長高準直性且良率較高之單根奈米碳管。
而在定向成長奈米碳管的研究上，利用MPCVD之電漿鞘層所產生的自我偏壓，形成一個方向性的電場，而此電場主宰著奈米碳管成長的方向，利用此一機制可以控制奈米碳管具有方向性之成長。此外，經由實驗結果分析，在MPCVD成長奈米碳管的實驗，增加微波電漿功率可使奈米碳管的準直性及石墨化程度提高，並有較佳之場發射特性。 | zh_TW |
| dc.description.abstract | none!! | en_US |
| DC.subject | 控制成長 | zh_TW |
| DC.subject | 電漿鞘層 | zh_TW |
| DC.subject | 場發射 | zh_TW |
| DC.subject | 方向性 | zh_TW |
| DC.subject | 舉離法 | zh_TW |
| DC.subject | 奈米碳管 | zh_TW |
| DC.subject | plasma sheath | en_US |
| DC.subject | lift off method | en_US |
| DC.subject | CNT | en_US |
| DC.subject | controlled growth | en_US |
| DC.subject | carbon nanotube | en_US |
| DC.subject | orientation | en_US |
| DC.subject | field emission | en_US |
| DC.title | 奈米碳管控制成長之方法研究 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.title | Study for the controlled growth ofcarbon nanotubes | en_US |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |