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語言 |
| DC.contributor | 機械工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 郭威廷 | zh_TW |
| DC.creator | Wei-Ting Kuo | en_US |
| dc.date.accessioned | 2005-6-30T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2005-6-30T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2005 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN=92323046 | |
| dc.contributor.department | 機械工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 本論文針對低壓鋁電解電容器用陽極鋁箔之最佳電蝕條件探討。選取不同厚度之鋁原箔，探討鋁箔經不同電化學蝕刻條件後表面積增加率之影響，並歸納出適合業界生產之最佳化電蝕參數。
本實驗根據探討之主題來控制不同的電蝕參數，經電化學蝕刻之後，再按照EIAJ的規範對電蝕箔做化成處理，並量測其靜電容量、重量損失率、引張與折曲強度。利用光學顯微鏡(OM)及掃描式電子顯微鏡(SEM)來觀察電蝕箔之截面腐蝕形態及表面的腐蝕孔洞分佈情形。依據上述分析方法，比較不同電蝕條件所造成之腐蝕組織對鋁電解電容器用陽極鋁箔之靜電容量的影響。
由實驗結果得知，電蝕頻率愈高，所形成之腐蝕孔洞愈小，而當溫度愈高，腐蝕速率愈快，此兩者的互相配合，方能得到最佳性能之電蝕箔。而E2各段電蝕頻率不一致時，逐段降低頻率在擴面效果上相較於E2固定電蝕頻率而言，有較佳的孔洞結構。相同總通電量下，E2使用不同電流密度形式對於鋁箔擴面效果將有很大的影響。 | zh_TW |
| DC.subject | 鋁箔 | zh_TW |
| DC.subject | 靜電容量 | zh_TW |
| DC.subject | 交流電蝕 | zh_TW |
| DC.subject | 機械強度 | zh_TW |
| DC.subject | 電容器 | zh_TW |
| DC.subject | Capacitance | en_US |
| DC.subject | AC Etching | en_US |
| DC.subject | Aluminum Foil | en_US |
| DC.title | 低壓鋁電解電容器用鋁箔之電蝕條件最佳化研究 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |