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| DC.contributor | 機械工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 江嘉泰 | zh_TW |
| DC.creator | Chia-Tai Chiang | en_US |
| dc.date.accessioned | 2005-6-28T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2005-6-28T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2005 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN=92323047 | |
| dc.contributor.department | 機械工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 在本論文之主要目的為開發低壓電解電容器用之軟質箔製程做先期的研究，比較硬質鋁箔與退火後鋁箔在電蝕時的電蝕結構和特性。利用現有的硬質箔之最佳製程，探討應用於軟質箔的可能性，並分析不同電蝕條件對軟質箔的影響，藉此可供未來製程改良的參考。
主要內容分成兩大章，首先第一章緒論，簡介電容器的基本構造與原理，並對影響整個電蝕製程的參數，例如： 鋁箔的性質、前處理的影響以及電蝕溶液中氯離子、硫酸根離子和溫度、濃度的的影響，提供相關背景知識。
接著第二章本文，包含實驗步驟、結果與討論和結論。實驗依照探討之主題來控制不同的電蝕參數，實際電蝕低壓陽極硬質箔及軟質箔，之後按照EIAJ的規範對電蝕箔做化成處理，並量測其靜電容量與重量損失率並製作腐蝕組織的皮膜複製試片。利用光學顯微鏡(OM)及掃描式電子顯微鏡(SEM)分別觀察電蝕箔之截面腐蝕形態、表面的腐蝕孔洞分佈及腐蝕組織。藉由這些分析方法，比較不同電蝕參數所造成之腐蝕組織對鋁電解電容器用陽極鋁箔之靜電容量的影響。
由實驗結果得知，原有的低壓硬質箔製程最佳參數，並不適用於軟質箔。軟質箔的腐蝕組織隨著E2頻率的降低，越往鋁箔芯部的pit尺寸越小，pit分支的程度越高，也越細長。硬質箔的腐蝕組織在改良後的軟質箔製程中，不管是E2的頻率比E1高、或E2跟E1相同以及E2比E1低，都只進行表面腐蝕。當電蝕波形為三角波，適合軟質箔的電蝕參數為E1溫度為55℃、頻率為30Hz，E2擴孔電蝕頻率為20Hz、E2電蝕液溫度為25℃以及E2每段的電流密度分別為0.138、0.196、0.270、0.294 A/cm¬2。 | zh_TW |
| DC.subject | 交流電蝕 | zh_TW |
| DC.subject | 靜電容量 | zh_TW |
| DC.subject | 皮膜複製 | zh_TW |
| DC.subject | 鋁 | zh_TW |
| DC.subject | Capacitance | en_US |
| DC.subject | Replica | en_US |
| DC.subject | AC Etching | en_US |
| DC.subject | Aluminum | en_US |
| DC.title | 比較硬質鋁箔與退火後鋁箔在電蝕時
電蝕結構及特性之研究 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |