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語言 |
| DC.contributor | 電機工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 吳昭羲 | zh_TW |
| DC.creator | Chao-Hsi Wu | en_US |
| dc.date.accessioned | 2005-6-30T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2005-6-30T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2005 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN=92521039 | |
| dc.contributor.department | 電機工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 本論文主要提出以平臺式(Mesa-type)非自我對準(non self-aligned)的製程方法製作完成矽鍺異質接面雙載子電晶體(Silicon Germanium Heterojunction Bipolar Transistors；SiGe HBTs)。並對電晶體進行量測、分析、模擬與討論。所有元件製程均於國立中央大學光電科學研究中心完成；之後進行元件的特性量測。量測部份主要包括元件直流特性、高頻特性、溫度直流特性；量測的射極面積主要有AE = 75×75 μm2，AE = 3×12 μm2和AE = 4×12 μm2，之後對量測結果進行討論和分析。模擬部分以模擬軟體TMA MEDICI進行2-D(two-dimensional)結構模擬。先對量測結果進行直流特性的fitting，之後設計並模擬不同鍺成份(different Ge composition)對元件特性之影響，並對結果進行討論。
量測所得到的AE = 75×75 μm2元件，在IC = 10.3mA時的電流增益約為83，崩潰電壓BVCEO>5V。AE = 4×12 μm2之最大直流增益(βmax)為39.3，fT為10.43GHz，fmax為2.85GHz，BVCEO>5V。AE = 3×12 μm2之最大直流增益為34.8，fT為8.95GHz，fmax為2.55GHz，BVCEO>5V。 | zh_TW |
| DC.subject | 電晶體 | zh_TW |
| DC.subject | 平臺式 | zh_TW |
| DC.subject | 分析 | zh_TW |
| DC.subject | 矽鍺 | zh_TW |
| DC.subject | 異質接面 | zh_TW |
| DC.subject | hbt | en_US |
| DC.subject | mesa type | en_US |
| DC.subject | analysis | en_US |
| DC.subject | sige | en_US |
| DC.title | 平臺式矽鍺異質接面雙載子電晶體研製與分析 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.title | Mesa Type SiGe HBTs Fabrication and Analysis | en_US |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |