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語言 |
| DC.contributor | 電機工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 高啟倫 | zh_TW |
| DC.creator | Chi-Lun Kao | en_US |
| dc.date.accessioned | 2005-7-20T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2005-7-20T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2005 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:88/thesis/view_etd.asp?URN=92521057 | |
| dc.contributor.department | 電機工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 本論文以配合磊晶於藍寶石基板之氮化鎵材料為主，開發覆晶式發光二極體之製程技術為目的，提升大面積氮化鎵發光二極體之輸出功率與效率。在覆晶子基板方面，使用以矽為主要材料，搭配氮化矽、鋁等高導熱材料，製作具有良好散熱特性之子基板，並以離子佈植之方式於高濃度P型矽基板內植入磷離子型成N型區域，形成一齊納二極體，並且與發光二極體反向並聯達到靜電釋放保護之效果。在覆晶接合方面，使用了兩種方法：以金/錫合金做為凸塊之焊料接合法，以及使用金球做為凸塊之熱超音波接合法為覆晶接合之方法，皆成功將發光二極體元件與覆晶子基板接合。
以鈀/氧化鎳/鋁/鈦/金作為高反射p型歐姆接觸層，波長470 nm之大面積(~1mm2)氮化鎵發光二極體於覆晶接合後，光強度為使用鎳/金透明電極之傳統正面發光二極體之1.5倍。未封裝之覆晶式發光二極體於350 mA光強度約為80 mW，最大光強度於800 mA為120 mW。 | zh_TW |
| DC.subject | 覆晶 | zh_TW |
| DC.subject | 發光二極體 | zh_TW |
| DC.subject | 靜電釋放 | zh_TW |
| DC.subject | ESD | en_US |
| DC.subject | Flip-Chip | en_US |
| DC.subject | LED | en_US |
| DC.title | 大面積覆晶式氮化鎵發光二極體之製程技術開發與元件特性之探討 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.title | Large Area GaN-Based Flip-Chip Light-Emitting Diode | en_US |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |