博碩士論文 88226037 詳細資訊




以作者查詢圖書館館藏 以作者查詢臺灣博碩士 以作者查詢全國書目 勘誤回報 、線上人數:24 、訪客IP:3.231.229.89
姓名 馬景時( Jing-Sh Ma)  查詢紙本館藏   畢業系所 光電科學與工程學系
論文名稱 氮化鎵藍色發光二極體透明電極之製作與研究
相關論文
★ 富含矽奈米結構之氧化矽薄膜之成長與其特性研究★ P型氮化鎵歐姆接觸製作研究
★ 應用聚對位苯基乙烯高分子材料製作有機發光二極體★ 氮離子佈植於氮化鎵之特性研究
★ 磷化銦鋁鎵/砷化鎵/砷化銦鎵對稱型平面摻雜場效電晶體研究★ 1550 nm 直調式光纖有線電視長距離傳輸系統
★ 以保角映射法為基礎之等效波導理論:理想光波導之設計與分析★ 銦鋅氧化膜基本特性及其與氮化鎵接觸應用之研究
★ 透明導電膜與氮化鎵接觸特性研究★ 連續時間電流式濾波與振盪電路設計與合成
★ 氮化鋁鎵/氮化鎵異質接面金屬-半導體-金屬光檢測器之研究★ 陣列波導光柵波長多工器設計與分析
★ 室溫沈積高穩定性之氮化矽薄膜及其光激發光譜研究★ 雙向混合DWDM系統架構在80-km LEAF上傳送CATV和OC-48信號
★ N型氮化鎵MOS元件之製作與研究★ 矽離子佈植於p型氮化鎵之特性研究
檔案 [Endnote RIS 格式]    [Bibtex 格式]    [相關文章]   [文章引用]   [完整記錄]   [館藏目錄]   [檢視]  [下載]
  1. 本電子論文使用權限為同意立即開放。
  2. 已達開放權限電子全文僅授權使用者為學術研究之目的,進行個人非營利性質之檢索、閱讀、列印。
  3. 請遵守中華民國著作權法之相關規定,切勿任意重製、散佈、改作、轉貼、播送,以免觸法。

摘要(中) 由於薄金屬電極有遮光,及電流不易均勻擴散等缺點,因此我們也研究銦錫氧化膜與p型氮化鎵的接觸,但因為銦錫氧化膜為一n型半導體材料,不易形成歐姆接觸,所以我們亦嘗試加入薄金屬改善其接觸特性。
關鍵字(中) ★ 氮化鎵
★ 藍光
★ 發光二極體
★ 鎳
★ 金
★ 銦錫氧化膜
★ 歐姆接觸
關鍵字(英) ★ GaN
★ blue
★ LED
★ Ni
★ Au
★ ITO
★ ohmic
論文目次 論文摘要………………………………………………………Ⅰ
目錄…………………………………………………………..Ⅱ
圖目……………………………………………………………Ⅲ
第一章 緒論…………………………………….………….1
第二章 傳輸線模型元件及量測分析
2.1歐姆接觸原理…………………………………………….4
2.2 p型氮化鎵的歐姆接觸………………………………...6
2.3傳輸線模型理論………………………………………...8
2.4傳輸線模型元件的製作…………………………………12
2.5實驗結果與討論…………………………………………14
第三章 藍色發光二極體之製作與分析
3.1氮化鎵藍色發光二極體工作原理………………………20
3.2氮化鎵藍色發光二極體元件製程………………………22
3.3氮化鎵藍色發光二極體特性……………………………23
3.4利用銦錫氧化膜避免電流擁擠效應……………………25
3.5實驗結果與討論…………………………………………25
第四章 結論……………………………………………… 27
參考文獻…………………………………………………. 28
參考文獻 1. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994)
2. T. Mukai, D. Morita, and S. Nakamura, J. Cryst. Growth 189/190, 778(1998)
3. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diodes (Springer, Heidelberg, 1997)
4. T. Mukai, H. Narimatsu, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L479 (1998)
5. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T.Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L1332 (1995)
6. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Jpn. J. Appl. Phys., 30, 1998 (1991)
7. G. S. Nakamura, Semicond. Sci. Technol. 14,R27(1999)
8. K. Nakamo, S. Tomiya, M. Ukita, H. Yoshida, S. Itoh, E. Morita, M. Ikeda, and A.Ishibashi, J. Electron Mater., 25, L213(1995)
9. J. I. Pankove, E. A. Miller, and J. E. Berkeyheiser, J. Lumin. 5, 84 (1972)
10. A. Amano, M. Kito, K.Hiramatsu, and I. Akassaki, Jpn. J. Appl. Phys., 28, L2112 (1989)
11. G. K. Reeves and H. B. Harrison, IEEE Electron Dev. Lett., 3, 111 (1982)
12. E. H. Rhoderick and R. H. Williams, Metal-Semiconductor Contacts, Oxford Science Publication
13. H. Kim, J. M. Lee, C. Huh, S. W. Kim, D. J. Kim, S. J. Park, and H. Hwang, Appl. Phys. Lett. 77, 1903 (2000)
14. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, P. L. Koh, M. J. Jou, C. M. Chang, C. C. Liu, and W. C. Hung, Appl. Phys. Lett., 74, 2340 (1999)
15. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, W. C. Chen, C. Y. Chen, C. N. Huang, J. M. Hong, Y. C. Yu, C. W. Wang, and E. K. Lin, J. Appl. Phys., 83, 3172(1998)
16. J. K. Kim, J. H. Je, J. W. Lee, Y. J. Park, T. Kim, I. O. Jung, B. T. Lee, and J. L. Lee, J. Electron Mater., 30, L8(2001)
17. C. Huh, S. W. Kim, H. M. Kim, H. Hwang, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett., 78, 1766 (2001)
18. I. Shalish, Y. Shapira, L. Burstein, and J. Salzman, J. Appl. Phys., 89, 390(2001)
19. J. K. Kim, J. L. Lee, J. W. Lee, Y. J. Park, and T. Kim, Electron. Lett., 35, 1676 (1999)
20. J. K. Kim, J. L. Lee, J. W. Lee, H. E. Shin, Y. J. Park, and K.Tim, Appl. Phys. Lett., 73, 2953 (1998)
21. J. Sun, K. A. Rickert, J. M. Redwing, A. B. Ellis, F. J. Himpsel, T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett., 76, 415 (2000)
22. J. K. Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, and K. K. Shih , L. C. Chen, F. R. Chen, and J. J. Kai , J. Appl. Phys. 86, 4491 (1999)
23. L. C. Chin, J. K. Ho, F. R. Chen, J. J. Kai, L. Chang, C. S. Jong, C.C. Chiu, C. N. Huang, and K. K. Shih, Phys. Stat. Sol., (a) 176, 733 (1999)
24. J. K. Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, C.Y. Chen, and K. K. Shih, Appl. Phys. Lett., 74, 1275 (1999)
25. L. C. Chin, F. R. Chen, J. J. Kai, L. Chang, J. K. Ho, C. S. Jong, C.C. Chiu, C. N. Huang, and K. K. Shih, J. Appl. Phys. 86, 3826 (1999)
26. C. F. Chu, C. C. Yu, Y. K. Wang, J. Y. Tsai, F. I. Lai, and S. C. Wang, Appl. Phys. Lett., 77, 3423 (2000)
27. B. Menschubg, C. Liu, B. Rauschenbach, K. Kornitzer, and W. Ritter, Mater. Sci. Eng., B 50,105(1997)
28. R. G. Wilson, C. B. Vartuli, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and J. M. Zavada, Solid-State Electron. 38, 1329 (1995)
29. J. C. Zolper, R. G. Wilson, S. J. Pearton, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 68, 1945 (1996)
30. M. Rubin, N. Newman, J. S. Chan, T. C. Fu, and J. T. Ross, Appl. Phys. Lett. 64, 64(1994)
31. L. L. Smith, M. D. Bremser, E. P. Carlson, T. W. Weeks, Jr., Y. Huang, M. J. Kim, R. W. Carpenter, and R. F. Davis, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395,861(1996)
32. T. Kim, M. C. Yoo, and T. Kim, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 1061 (1997)
33. L. Zhou, A.T. Ping, F. Khan, A. Osinsky and I. Adesida, Electronic Lett. 36, 91 (2000)
34. K. V. Vassilevski, M. G. Rastegaeva, A. I. Babanin, I. P. Nikitina, and V. A. Dmitriev, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1,38(1996)
35. D. J. King, L. Zang, J. C. Ramer, S. D. Hersee, and L. F. Lerter, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 421 (1997)
36. H. Ishikawa, S. Kobayashi,Y. Kodie, S. Yamasaki, S. Nagai, J. Umezaki, M. Koike, and M. Murakami, J. Appl. Phys. 81, 1315 (1997)
37. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999)
38. D. Qiao, L. S. Yu, S. S. Lau, J. Y. Lin, H. X. Jiang, T. E. Haynes, J. Appl. Phys. 88, 4196 (2000)
39. H. Kawazoe, M. Yasukaws, H. Hyodo, M. Kurita, H. Yanagi and H. Hosono, Nature, 389, 939 (1997)
40. C. T. Lee, and H. W. Kao, Appl. Phys. Lett. 76, 2364 (2000)
41. T. Margalith, O. Buchinsky, D. A. Cohen, A. C.Abare, M. Hansen, S. P. DenBaars, and L. A. Coldren, Appl. Phys. Lett. 74, 3930 (1999)
指導教授 李清庭(Ching-Ting Lee) 審核日期 2001-7-7
推文 facebook   plurk   twitter   funp   google   live   udn   HD   myshare   reddit   netvibes   friend   youpush   delicious   baidu   
網路書籤 Google bookmarks   del.icio.us   hemidemi   myshare   

若有論文相關問題,請聯絡國立中央大學圖書館推廣服務組 TEL:(03)422-7151轉57407,或E-mail聯絡  - 隱私權政策聲明