博碩士論文 101521008 詳細資訊




以作者查詢圖書館館藏 以作者查詢臺灣博碩士 以作者查詢全國書目 勘誤回報 、線上人數:17 、訪客IP:3.14.70.203
姓名 曾銘志(Ming-Jhih Zeng)  查詢紙本館藏   畢業系所 電機工程學系
論文名稱 三角形模組開發與任意二維半導體元件模擬
(Development of Triangular element and its applications to arbitrary 2D Semiconductor device)
相關論文
★ 表面電漿共振效應於光奈米元件之數值研究★ 金氧半電容元件的暫態模擬之數值量測
★ 雙載子電晶體在一維和二維空間上模擬的比較★ 改善後的階層化不完全LU法及其在二維半導體元件模擬上的應用
★ 一維雙載子接面電晶體數值模擬之驗證及其在元件與電路混階模擬之應用★ 階層化不完全LU法及其在準靜態金氧半場效電晶體電容模擬上的應用
★ 探討分離式簡化電路模型在半導體元件模擬上的效益★ 撞擊游離的等效電路模型與其在半導體元件模擬上之應用
★ 二維半導體元件模擬的電流和電場分析★ 三維半導體元件模擬器之開發及SOI MOSFET特性分析
★ 元件分割法及其在二維互補式金氧半導體元件之模擬★ 含改良型L-ILU解法器及PDM電路表述之二維及三維元件數值模擬器之開發
★ 含費米積分之高效率載子解析模型及其在元件模擬上的應用★ 量子力學等效電路模型之建立及其對元件模擬之探討
★ 適用於二維及三維半導體元件模擬的可調變式元件切割法★ 整合式的混階模擬器之開發及其在振盪電路上的應用
檔案 [Endnote RIS 格式]    [Bibtex 格式]    [相關文章]   [文章引用]   [完整記錄]   [館藏目錄]   [檢視]  [下載]
  1. 本電子論文使用權限為同意立即開放。
  2. 已達開放權限電子全文僅授權使用者為學術研究之目的,進行個人非營利性質之檢索、閱讀、列印。
  3. 請遵守中華民國著作權法之相關規定,切勿任意重製、散佈、改作、轉貼、播送,以免觸法。

摘要(中) 在本篇論文中,我們開發出任意銳角網格當基本元素,可應用於二維半導體元件模擬,具彈性空間使總節點數下降提高計算效率,並且使用圓柱座標轉換分析圓弧接面,使模擬更為精確迅速,接著利用簡單電阻做理論計算驗證,及PN二極體特性與矩形網格比較驗證,驗證結果後我們將任意銳角網格應用於圓柱型MOS電容器Gate all around結構上,並探討半徑對臨限電壓與氧化層厚度對臨限電壓之影響,最後再與傳統型MOSFET理論公式之臨限電壓比較。
摘要(英) In this thesis, we develop an acute triangle mesh elements in arbitrary angles. Although we have a rectangular mesh analytical method, acute triangle mesh effectively to decrease the total amount of computation nodes. It can be applied to cylindrical coordinates for accurate and rapid simulation than the rectangular mesh simulations. For verification, a simple 2D resistor will be simulated and compared to the theoretical value. Finally, we simulate a gate-all-around MOS capacitor by acute triangle mesh. According to the result of MOS-C simulation, we discuss the dependence of threshold voltage on the radius and the oxide thickness.
關鍵字(中) ★ 銳角網格
★ 圓柱座標
★ 環繞式閘極
關鍵字(英) ★ acute
★ triangular mesh
★ Gate-All-Around MOSFET
★ cylindrical coordinates
論文目次 摘要 .............................................. i
Abstract .......................................... ii
目錄 .............................................. iii
圖目錄 ............................................ iv
表目錄 ............................................ vi
第一章 簡介 ....................................... 1
第二章 二維網格等效模型分析 ....................... 2
2-1. 矩形網格分析概念 ............................. 2
2-2. 銳角網格結構定義 ............................. 5
2-3. 連續方程式等效電路模型建立 ................... 11
第三章 矩形網格與銳角網格探討及驗證 ............... 14
3-1. 簡單電阻於直角座標驗證 ....................... 14
3-2. 二維圓柱型電阻驗證 ........................... 16
3-3. 二極體之I-V特性曲線驗證 ...................... 18
3-4. 圓弧接面之二極體電位驗證 ..................... 20
第四章 銳角網格應用於MOS結構 ...................... 22
4-1. 圓柱型MOSFET結構 ............................. 22
4-2. 臨限電壓與半徑關係 ........................... 24
4-3. 電場分佈關係.................................. 31
第五章 結論 ....................................... 38
參考文獻 .......................................... 39
參考文獻 [1] R. A. Jabr, M. Hamad, Y.M. Mohanna,“Newton-Raphson solution of Poisson′s equation in a pn diode,”Int. J. Electrical Eng. Educ., Jan. 2007.
[2] D. K. Cheng, Field and wave electromagnetics, 2nd ed. Addison-Wesley Publishing Company, Inc., 1989.
[3] D. L. Scharfetter, H.K Gummel,“Large-Signal Analysis of a Silicon Read Diode Oscillator,”IEEE Trans. Electron Device, vol. 16, Jan. 1969.
[4] Y. S. Tso,“Analysis and simulation cylindrical coordinates of curved PN junction properties,”M.S. thesis, Dept. Elect. Eng., Natl. Cent. Univ., Chung-Li city, Taiwan, R.O.C., 2010.
[5] M. A. Abdi, F. D. jeffal, Z. Dibi, D. Arar“A two-dimensional analytical subthreshold behavior analysis including hot-carrier effect for nanoscale Gate Stack Gate All Around (GASGAA) MOSFETs, ”J Comput Electron, Oct. 2010.
[6] L. Liu, Z. Li, Y. You, J. Xu,“Two-dimensional analytic model for fully depleted surrounding gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, ”Hsi An Chiao Tung Ta Hsueh, pp. 73-77, Feb 2011.
[7] S. M. Sze, K.K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, 3rd ed. John Wiley & Sons, Inc. New Jersey, 2007.
[8] D. S. Lee, H.S. Yang, K.C. Kang, J.E. Lee, J.H. Lee, S. Cho, B.G. Park,“Simulation of gate-all-around tunnel field-effect transistor with an n-doped layer, ”IEICE Trans Electron, pp. 540-545, 2010
[9] J. Y. Peng,“Current Characteristic and Electric-field Analysis in 2-D SOI Semiconductor Devise Simulation,” M.S. thesis, Dept. Elect. Eng., Natl. Cent. Univ., Chung-Li city, Taiwan, R.O.C., 2008.
指導教授 蔡曜聰(Yao-Tsung Tsai) 審核日期 2014-7-1
推文 facebook   plurk   twitter   funp   google   live   udn   HD   myshare   reddit   netvibes   friend   youpush   delicious   baidu   
網路書籤 Google bookmarks   del.icio.us   hemidemi   myshare   

若有論文相關問題,請聯絡國立中央大學圖書館推廣服務組 TEL:(03)422-7151轉57407,或E-mail聯絡  - 隱私權政策聲明