博碩士論文 102256011 詳細資訊




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姓名 張維倫(Wei-Lun Chang)  查詢紙本館藏   畢業系所 光電科學與工程學系
論文名稱 抗電位誘發衰減結晶矽太陽能電池量產化研究
(Study of Silicon wafer Solar Cell Mass production Using Potential Induced Degradation Method)
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摘要(中) 近年因地球暖化問題,許多國家開始提倡環保並且投入綠能產業。電力是人類不可缺少的能源;但目前各國大多還是採用核能發電,會有環境汙染及地球暖化的問題。因太陽能發電潔淨及環保的優點,逐漸受到許多國家及大型企業的投入,越來越多的國家及企業開始建設大型的太陽能發電廠。不過,使用太陽能發電並不是那麼的順遂,許多太陽能電廠遇到同樣的問題,就是發電量會有衰退的情形。原因是模組外部的高電壓作用下造成太陽能電池漏電,產生發電量不足的問題。而不得不重視造成太陽能模組之電位誘發衰減(Potential Induced Degradation)的問題。
此篇論文利用氧化層產生器在N-junction 與抗反射層中增加3nm氧化層來解決電位誘發衰減效應;並且透過國際電工協會(IEC)的檢驗方式檢驗其電性及外觀,確認此套製程是可讓太陽能電池具有抵抗電位誘發衰減的能力;此套技術透過均勻化實驗證明氧化層產生器距離晶片5mm最均勻且穩定,說明了此套製程已經非常成熟及穩定。
摘要(英) In recent years, due to global warming, many countries have been advocating and developing environmental protection using green energy.
Electricity is indispensable to humans; however, nuclear electricity has been consumed as main energy source for almost most of the countries. Many countries and companies have been increasingly aware of the advantage of solar energy to provide a clean and friendly protection to environment and further prevent global warming by investing in solar energy for supporting the effort.
Although solar energy is a great solution for preventing global warming, however, losing electricity power causing by Potential Induced Degradation has been identified as a biggest challenge in ?Solar energy generation technology.
The purpose of this paper is introduce how to using Oxide generator increase 3nm Oxide between N-junction and CVD to resolve electricity power losing issue caused by Potential Induced Degradation (PID) and through the verification by IEC (International Electro Technical Commission), such innovated technology distance 5mm to the wafer has been validated to be a stable and mature process to allow PID to free for solar cell.
關鍵字(中) ★ 太陽能
★ 電位誘發效應
關鍵字(英)
論文目次 目錄
中文摘要.................................................I
Abstract...............................................II
致謝...................................................IV
目錄....................................................V
圖目錄...............................................VIII
表目錄.................................................XI
第一章 緒論..............................................1
1-1 研究背景...........................................1
1-2 研究動機...........................................2
1-3 研究貢獻...........................................3
1-4 論文架構...........................................4
第二章 研究理論..........................................5
2-1 結晶矽太陽能產業結構說明............................5
2-1-1 結晶矽太陽能發電原理說明.......................7
2-1-2 太陽能電池能隙帶光波長吸收區段關係..............9
2-1-3 結晶矽太陽能材料簡介..........................10
2-1-4 結晶矽太陽能電池製程..........................11
2-1-5 結晶矽太陽能模組製程..........................20
2-2 何謂電位誘發效應..................................26
2-3 電位誘發效應產生的原因.............................27
2-4 電位誘發效應檢測方式...............................28
2-4-1 電性檢測.....................................28
2-4-2 外觀檢測.....................................29
2-5 太陽能模組解決電位誘發效應方法......................33
2-6 太陽能電池解決電位誘發效應方法.......................35
2-6-1 變更反射層N值................................35
2-6-2 增加新製程...................................37
第三章 研究實驗方法.....................................38
3-1 實驗設備..........................................38
3-2 實驗流程..........................................43
第四章 研究實驗結果與分析................................48
4-1 氧化層對太陽能電池影響.............................48
4-2 氧化層產生器抗PID數據比較..........................51
4-3 可靠度驗證........................................52
4-4 抗PID太陽能電池量產化均勻性實驗數據.................61
第五章 研究結論與未來展望................................64
5-1 研究結論.........................................64
5-2 未來展望.........................................65
參考文獻................................................66
參考文獻 參考文獻
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指導教授 張榮森 審核日期 2017-1-16
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