抗電位誘發衰減結晶矽太陽能電池量產化研究

以作者查詢圖書館館藏

、以作者查詢臺灣博碩士

、以作者查詢全國書目

、勘誤回報

、線上人數：19

、訪客IP：3.139.97.157

姓名

張維倫(Wei-Lun Chang) 查詢紙本館藏

畢業系所

光電科學與工程學系

論文名稱

抗電位誘發衰減結晶矽太陽能電池量產化研究
(Study of Silicon wafer Solar Cell Mass production Using Potential Induced Degradation Method)

相關論文

★ 腦電波傅利葉特徵頻譜之研究	★ 光電星雲生物晶片之製作
★ 電場控制器光學應用	★ 手機照相鏡頭設計
★ 氣功靜坐法對於人體生理現象影響之研究	★ 針刺及止痛在大鼠模型的痛覺量測系統
★ 新光學三角量測系統與應用	★ 離軸式光學變焦設計
★ 腦電波量測與應用	★ Fresnel lens應用之量測
★ 線型光學式三角量測系統與應用	★ 非接觸式電場感應系統
★ 應用田口法開發LED燈具設計	★ 巴金森氏症雷射線三角量測系統
★ 以Sol-Gel法製備高濃度TiO2用於染料敏化太陽能電池光電極之特性研究	★ 生產線上之影像量測系統

檔案

[Endnote RIS 格式]

[Bibtex 格式]

[相關文章]

[文章引用]

[完整記錄]

[館藏目錄]

至系統瀏覽論文 ( 永不開放)

摘要(中)

近年因地球暖化問題，許多國家開始提倡環保並且投入綠能產業。電力是人類不可缺少的能源；但目前各國大多還是採用核能發電，會有環境汙染及地球暖化的問題。因太陽能發電潔淨及環保的優點，逐漸受到許多國家及大型企業的投入，越來越多的國家及企業開始建設大型的太陽能發電廠。不過，使用太陽能發電並不是那麼的順遂，許多太陽能電廠遇到同樣的問題，就是發電量會有衰退的情形。原因是模組外部的高電壓作用下造成太陽能電池漏電，產生發電量不足的問題。而不得不重視造成太陽能模組之電位誘發衰減（Potential Induced Degradation）的問題。
此篇論文利用氧化層產生器在N-junction 與抗反射層中增加3nm氧化層來解決電位誘發衰減效應;並且透過國際電工協會(IEC)的檢驗方式檢驗其電性及外觀，確認此套製程是可讓太陽能電池具有抵抗電位誘發衰減的能力;此套技術透過均勻化實驗證明氧化層產生器距離晶片5mm最均勻且穩定，說明了此套製程已經非常成熟及穩定。

摘要(英)

In recent years, due to global warming, many countries have been advocating and developing environmental protection using green energy.
Electricity is indispensable to humans; however, nuclear electricity has been consumed as main energy source for almost most of the countries. Many countries and companies have been increasingly aware of the advantage of solar energy to provide a clean and friendly protection to environment and further prevent global warming by investing in solar energy for supporting the effort.
Although solar energy is a great solution for preventing global warming, however, losing electricity power causing by Potential Induced Degradation has been identified as a biggest challenge in ?Solar energy generation technology.
The purpose of this paper is introduce how to using Oxide generator increase 3nm Oxide between N-junction and CVD to resolve electricity power losing issue caused by Potential Induced Degradation (PID) and through the verification by IEC (International Electro Technical Commission), such innovated technology distance 5mm to the wafer has been validated to be a stable and mature process to allow PID to free for solar cell.

關鍵字(中)

★ 太陽能
★ 電位誘發效應

關鍵字(英)

論文目次

目錄
中文摘要.................................................I
Abstract...............................................II
致謝...................................................IV
目錄....................................................V
圖目錄...............................................VIII
表目錄.................................................XI
第一章緒論..............................................1
1-1 研究背景...........................................1
1-2 研究動機...........................................2
1-3 研究貢獻...........................................3
1-4 論文架構...........................................4
第二章研究理論..........................................5
2-1 結晶矽太陽能產業結構說明............................5
2-1-1 結晶矽太陽能發電原理說明.......................7
2-1-2 太陽能電池能隙帶光波長吸收區段關係..............9
2-1-3 結晶矽太陽能材料簡介..........................10
2-1-4 結晶矽太陽能電池製程..........................11
2-1-5 結晶矽太陽能模組製程..........................20
2-2 何謂電位誘發效應..................................26
2-3 電位誘發效應產生的原因.............................27
2-4 電位誘發效應檢測方式...............................28
2-4-1 電性檢測.....................................28
2-4-2 外觀檢測.....................................29
2-5 太陽能模組解決電位誘發效應方法......................33
2-6 太陽能電池解決電位誘發效應方法.......................35
2-6-1 變更反射層N值................................35
2-6-2 增加新製程...................................37
第三章研究實驗方法.....................................38
3-1 實驗設備..........................................38
3-2 實驗流程..........................................43
第四章研究實驗結果與分析................................48
4-1 氧化層對太陽能電池影響.............................48
4-2 氧化層產生器抗PID數據比較..........................51
4-3 可靠度驗證........................................52
4-4 抗PID太陽能電池量產化均勻性實驗數據.................61
第五章研究結論與未來展望................................64
5-1 研究結論.........................................64
5-2 未來展望.........................................65
參考文獻................................................66

參考文獻

參考文獻
[1] 黃女瑛，網路資料on line resources︰DIGITIMES : "太陽能模組PID與LID"。2016年7月25日，取自http://www.digitimes.com.tw/tw/dt/n/shwnws.asp?id=0000402170_YVX0DA5B8H8RJ3L1M8CBU&ct=1#ixzz4SWNwuycl
[2] 王淑娟，網路資料on line resources︰索比太陽能網: "熱詞「PID效應」，你怎麼理解？"。2016年12月29日，取自https://read01.com/aAGAAL.html
[3] 網路資料on line resources︰維基百科: "光生伏打效應"。2016年9月8日，取自https://zh.wikipedia.org/wiki/%E5%85%89%E7%94%9F%E4%BC%8F%E6%89%93%E6%95%88%E5%BA%94
[4] 網路資料on line resources︰理財網/財經知識庫: "太陽能級矽材"。2016年12月14日，取自http://www.moneydj.com/KMDJ/Wiki/WikiViewer.aspx?keyid=3c38a19a-7729-4694-8a58-c925e0425088#ixzz4TMOJzJUu
[5] 廖思帆，石墨材料時變劣化微結構分析，國立中央大學，碩士論文，民國105年。[6] 謝明宏，利用氫氣回火鈍化對矽晶太陽能電池效率提升的研究，國立交通大學，碩士論文，民國99年。
[7] 關旻宗 ; 王思淋 ; 李文貴 ; 黃中騰; 黃健利 ; 邱俊嘉，太陽電池封裝材料技術發展趨勢(上)，光電特刊/工業材料雜誌，第318期，125-129頁，2013年6月。
[8] 研究員許國強，太陽光發電原理與應用，工研院材料所，民國 91 年 10 月 23 日。[9] 陶亮，多晶硅?件的?位??衰?的成因及防治，2014年第6期科技?新与?用/江??信泗?太?能??有限公司。
[10] 李民;朱?武;曹??，光伏組件封裝材料和 PID 的關係初探，科技?新与?用/江??信泗?太?能??有限公司，2014年第6期。
[11] 齊濟; 古麗斯坦; 王承遇; 甯桂玲，矽酸鹽玻璃表面析堿的研究，大連民族學院生命科學院/大連理工大學化工大學/大連輕工業學院玻璃及無機新材料研究所，《玻璃與搪瓷》2006 年 6 月。
[12] 王?玉，PID ?生的原理介?及??方法，TUV 南德意志大中?集?，2012年6月6日。
[13] Del Cueto , J Trudell, D Sekulic, W, ”Capabilities of the High Voltage Stress Test System at the Outdoor Test Facility”, DOE Solar Energy Technologies Program Review Meeting,NREL/CP-520-38955, 2005.
[14] 陳秋惠; 劉定坤，太陽能電池之電致發光缺陷檢測技術，工研院量測中心。
[15] Fu, Z., Y. Zhao, Y. Liu, Q. Cao, M. Chen, J. Zhang, and J. Lee (2004), "Solar cell crack inspection by image processing," in Proc. Int. IEEE Conf. Business of Electronic Product Reliability and Liability, Shanghai, China，Apr. 27-30, 77-80.
[16] 陳心怡(2007).「太陽能電池板表面瑕疵檢測」，碩士論文，國立中央大學資訊工程研究所。
[17] Wallis, S. A. & Georgeson, M. A. (2009) “ Mach edges: Local features predicted by 3rd derivative spatial filtering,” Vision Research 49, 1886-1893.
[18] 網路資料on line resources︰材料世界網: "太陽光電可靠度試驗技術與趨勢發展—工研院量測中心"，2016年11月28日，取自http://www.materialsnet.com.tw/VenderNewProductView.aspx?id=101。
[19] 洪昭南、郭有斌，“電漿反應器與原理” ，化工技術，第9卷，第10期, pp. 156-176 (2001) 。
[20] G.S. Selwynet.al,“Materials Processing Using an Atmospheric Pressure, RF-Generated Plasma Source”, Contrib. Plasma Phys. vol.6, p610 (2001) .
[21] 徐逸明;游閔盛;郭有斌;黃傑;洪昭南，常壓電漿原理、技術與應用，馗鼎奈米科技股份有限公司/國立成功大學，2009.08。

指導教授

張榮森

審核日期

2017-1-16

推文