有機發光二極體激子光電特性模擬研究

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姓名

蕭信助(Sin-Jhu Siao) 查詢紙本館藏

畢業系所

能源工程研究所

論文名稱

有機發光二極體激子光電特性模擬研究

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摘要(中)

OLED發光原理是由於電子、電洞在發光層內再結合形成激子，激子從激發態回到基態時會發光，而激子的生成與電子、電洞的注入濃度以及有機材料的電荷遷移率有關。為探討有機層中的激子數，本論文利用空間電荷限制電流法，依據有機材料實際情況，來計算有機材料的電荷遷移率，接著考慮主發光體與客發光體之間的能量轉移的關係，及考慮電極淬熄對激子的影響，再結合所推算之電荷遷移率，建立模擬模型，以模擬出激子在有機層內的分布情況。
將模擬出的激子濃度分布曲線，以電流密度修正，並積分激子濃度分布曲線，以計算出有機層內的激子數，而可得知電流密度與激子數之間的關係，最後，利用實際OLED元件做輝度測量，並藉由模擬與實驗的結果之比較，探討激子數與輝度之間的關係，以建立預測OLED元件效能的電特性模擬模型。

摘要(英)

The principle of OLED light-emission lies in the recombination of electrons and holes, resulting in the generation of excitons in the organic layers. The excitons emit light when they return to the ground state from the excited state. Since the generation of excitons relates to the concentrations of injected electron and hole, mobility of material, etc, this study explored the mobility by the method of space charge limited current (SCLC) according to the actual material conditions. Then, the energy transfer between the host and the guest materials and the electrode quenching effect on excitons were considered along with the measured mobility for calculating the exciton density distribution within the organic layers.
Afterward, the exciton density distribution curve was correct by the measured current density. With the integral of exciton density distribution curve, the number of excitons within the organic layers was calculated, and the relationship between the current density and the number of excitons were derived. Finally, luminance of OLED elements was measured to explore the relationship between the number of excitons and the luminance and to set up an electronic simulation model for predicting the performance of OLED devices.

關鍵字(中)

★ OLED電模擬
★ 空間電荷限制電流
★ 電荷遷移率
★ 能量轉移
★ 電極淬熄
★ 激子

關鍵字(英)

★ Electrical simulation of OLED
★ Space Charge Limited Current
★ Mobility
★ Energy transfer
★ Electrode quenching
★ Exciton

論文目次

摘要 I
Abstract II
致謝 III
圖目錄 VI
表目錄 VIII
參數目錄 IX
第一章、緒論 1
1-1 研究背景 1
1-2 研究動機 3
1-3 文獻回顧 4
1-4 論文架構 8
第二章、基礎原理與理論 9
2-1 OLED基本原理 9
2-1-1 發光機制 11
2-1-2 能量轉移 12
2-1-3 載子捕捉(Carrier trapping) 13
2-2帕松方程式(Poisson’s equation) 14
2-3空間電荷限制電流法 15
2-4 激子連續擴散方程式 16
2-5 小結 17
第三章、模擬與計算方法 18
3-1 OLED電特性之模擬流程 18
3-2 電壓分布模擬 19
3-3 電荷遷移率(mobility)計算 20
3-4 電洞、電子注入濃度與分布模擬 24
3-5 電極淬熄模型(Electrode quenching model) 25
3-6 激子濃度分布模擬 26
3-7 小結 28
第四章、模擬結果與討論 29
4-1 電壓分布 31
4-2 電荷遷移率計算結果 33
4-3 電洞、電子濃度分布 35
4-4 電極淬熄 38
4-5 激子濃度分布 39
4-6 小結 43
第五章、模擬修正與運用 44
5-1 模擬J-V曲線 45
5-2 修正激子濃度模擬 48
5-3 J-V曲線之運用 50
5-3-1 n-J 關係圖 50
5-3-2 L-n 關係圖 52
5-4 小結 55
第六章、結論與未來展望 56
6-1 結論 56
6.2 未來展望 57
參考文獻 59

參考文獻

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指導教授

韋安琪

審核日期

2016-8-30

推文