利用溶液剪切力塗佈法製備高分子與小分子混摻之有機場效電晶體元件

以作者查詢圖書館館藏

、以作者查詢臺灣博碩士

、以作者查詢全國書目

、勘誤回報

、線上人數：18

、訪客IP：3.138.204.208

姓名

林芷瑜(Chih-Yu Lin) 查詢紙本館藏

畢業系所

化學工程與材料工程學系

論文名稱

利用溶液剪切力塗佈法製備高分子與小分子混摻之有機場效電晶體元件
(High Performance Organic Field Effect Transistors based on a Small Molecule and Polymer Blend Organic Semiconductors Deposited by Solution-Shearing)

相關論文

★ 自組裝嵌段共聚高分子/小分子混成奈米浮閘極記憶體:元件製備及效能評估	★ 硫碳鏈聯噻吩環小分子半導體及高介電常數TiOX/SiOX介電層製備低電壓場效應光電晶體元件
★ 高介電常數TiOX/SiOX介電層製備低電壓場效應電晶體元件	★ 利用可溶液製程之含硫碳鏈聯噻吩小分子製作高效能有機場效應電晶體
★ 以噴塗技術沉積有機半導體薄膜：形貌分析及其於有機場效應電晶體元件應用	★ 利用溶液製程製作不同次結構之併環噻吩小分子高效能有機場效應電晶體
★ 利用超音波噴塗技術製備鈣鈦礦薄膜於太陽能電池元件之應用	★ 利用溶液剪切力塗佈法製作高效能DTTRQ小分子 N 型有機場效電晶體元件
★ 用於高性能n型有機薄膜晶體管的溶液 - 二亞甲基取代的醌基二炔基噻吩（DTDSTQ）基小分子	★ 利用兩步驟超音波噴塗技術製備平面型p-i-n結構鈣鈦礦太陽能電池元件之應用
★ 透明氧化物薄膜電晶體與電晶體式記憶體之分析與應用	★ 以含硫碳鏈並?吩環小分子半導體材料利用溶液剪切力塗佈法製作高性能有機場效應電晶體
★ 溶液剪切力法製備醌型噻吩並異靛藍 (DTPQ) N型小分子半導體於有機場效應電晶體應用	★ 剪切力溶液製程應用於高效能有機薄膜電晶體：含硒碳鏈聯?吩小分子半導體材料
★ 利用超音波噴塗技術製備混合有機陽離子鈣鈦礦太陽能電池	★ 超音波噴塗法製備鈣鈦礦薄膜並探討添加劑對薄膜形貌及其太陽能電池元件光伏表現之影響

檔案

[Endnote RIS 格式]

[Bibtex 格式]

[相關文章]

[文章引用]

[完整記錄]

[館藏目錄]

[檢視]

[下載]

本電子論文使用權限為同意立即開放。
已達開放權限電子全文僅授權使用者為學術研究之目的，進行個人非營利性質之檢索、閱讀、列印。
請遵守中華民國著作權法之相關規定，切勿任意重製、散佈、改作、轉貼、播送，以免觸法。

摘要(中)

使用溶液製程於有機半導體層具有低成本、能大面積製造及能於可撓性基板製造的優點。除此之外，利用小分子與高分子混摻之半導體層製程呈現了更好的載子傳遞效能。在我們這項研究中，我們嘗試利用原先電性較差的小分子2,5-bis(3,5-diundecyldithieno[3,2-b:2′,3′-d]thiophen-2-yl) thieno[3,2-b]thiophene (DDTTR-TT)與高分子2-methyl-6-(5′-methyl-3,3′-bis(tetradecylthio)-[2,2′-bithiophen]-5-yl)dithieno[3,2-b:2′,3′-d]thiophene (P-DTTSBT)混摻並以溶液之剪切力塗佈法製作半導體層。我們發現在特殊混摻比例下小分子與高分子相分離的狀況會最少並影響了半導體層的表面形貌，混摻半導體層也同時增加了相對於純高分子或純小分子半導體層的電性。原先的純小分子DDTTR-TT之電洞遷移率約為9.0×10-4 cm2V-1s-1，而純高分子P-DTTSBT之電洞遷移率約為6.7×10-2 cm2V-1s-1。而在小分子與高分子於溶液重量比30 %與70 %時能達到電洞遷移率2×10-1 cm2V-1s-1。

摘要(英)

Solution processing of organic semiconductors offers great potential for achieving low cost manufacturing of large area and flexible electronics. In addition, organic field effect transistors (OFETs) based on blends of small molecule semiconductors and polymers show promise for high performance organic electronics applications. This study demonstrated the small molecule (DDTTR-TT)/polymer (P-DTTSBT) blending semiconducting layer based on solution shearing method. In this case, the results show that small molecule and polymer have a specific ratio which results in the phase separation and also affects the thin film morphology. The electrical properties are enhanced by DDTTR-TT/P-DTTSBT film. The organic field effect transistor through solution-shearing of the DDTTR-TT displays the hole mobility of 9×10-4 cm2V-1s-1 and the P-DTTSBT displays the hole mobility of 6.7×10-2 cm2V-1s-1; however, the DDTTR-TT/P-DTTSBT blends with a chlorobenzene solvent mixture in 30 % : 70 % ratio displays the highest hole mobility up to 2×10-1 cm2V-1s-1. Therefore, tuning the blending compositions change the thin film morphology and improves the transistor performance.

關鍵字(中)

★ 高分子
★ 有機材料
★ 半導體元件
★ 溶液製程

關鍵字(英)

論文目次

摘要 i
Abstract ii
致謝 iii
目錄 iv
圖目錄 vii
表目錄 xi
第一章緒論 1
1-1 前言 1
1-2 有機場效應電晶體簡介 2
1-2-1 元件組成結構組成 3
1-2-2 工作機制 7
1-2-3有機場效應電晶體特性曲線 9
1-3 有機半導體材料 12
1-3-1 有機共軛小分子材料 12
1-3-1-2 N型有機小分子半導體材料 15
1-3-2 有機共軛高分子材料 22
1-3-2-1 P型有機高分子材料 23
1-3-2-2 N型有機高分子材料 23
1-4 有機半導體混摻系統 30
1-5 有機半導體薄膜製程 34
1-5-1真空熱蒸鍍法 34
1-5-2溶液製程法 36
1-4-2-2旋轉塗佈法 38
1-6 研究動機 47
第二章實驗方法 49
2-1 實驗藥品 49
2-2 實驗設備 50
2-3 實驗方法 51
2-3-1基板前處理及表面修飾層 51
2-3-2元件製備 52
2-3-3元件電性量測 54
2-4 元件半導體層薄膜量測分析 55
2-4-1偏光光學顯微鏡 55
2-4-2紫外線-可見光光譜儀 55
2-4-3光電子能譜分析儀 56
2-4-4原子力學顯微鏡 56
2-4-5低掠角X光繞射儀 57
第三章結果與討論 58
3-1 有機小分子與高分子混摻半導體材料性質分析 58
3-2 有機場效應電晶體電性分析 59
3-3 剪切力塗佈法製程之表面形貌分析 68
3-3-1光學顯微鏡下之表面形貌 68
3-3-2原子力顯微鏡下之表面形貌 74
3-4 有機小分子與高分子混摻半導體薄膜微結構分析 76
3-5 混摻薄膜光電特性分析 81
3-5-1 紫外光-可見光光譜分析 81
3-5-2 光電子能譜分析 82
第四章結論與未來展望 84
參考文獻 86
附錄 97

參考文獻

1. Wang, C. L.; Dong, H. L.; Hu, W. P.; Liu, Y. Q.; Zhu, D. B. Chem. Rev. 2012, 112, 2208.
2. Park, I.; Ko, S. H.; Pan, H.; Grigoropoulos, C. P.; Pisano, A. P.; Frechet, J. M. J.; Lee, E.-S.; Jeong, J.-H. Adv. Mater. 2008, 20, 489.
3. Zhang, J.; Li, C. M.; Chan-Park, M. B.; Zhou, Q.; Gan, Y.; Qin, F.; Ong, B.; Chen, T. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 243502.
4. Choi, D.; Kim, H.; Persson, N.; Chu, P. H.; Chang, M.; Kang, J. H.; Graham, S.; Reichmanis, E. Chem. Mater. 2016, 28, 1196.
5. Acton, O.; Ting, G. G.; Shamberger, P. J.; Ohuchi, F. S.; Ma, H.; Jen, A. K. Y. ACS Appl. Mater. Interfaces 2010, 2, 2963.
6. Beaulieu, M. R.; Baral, J. K.; Hendricks, N. R.; Tang, Y. Y.; Briseno, A. L.; Watkins, J. J. ACS Appl. Mater. Interfaces 2013, 5, 13096.
7. Nenning, A.; Opitz, A. K.; Rameshan, C.; Rameshan, R.; Blume, R.; Havecker, M.; Knop-Gericke, A.; Rupprechter, G.; Klotzer, B.; Fleigt, J. J. Phys. Chem. C 2016, 120, 1461.
8. Jones, B. A.; Facchetti, A.; Wasielewski, M. R.; Marks, T. J. Adv. Funct. Mater. 2008, 18, 1329.
9. Minder, N. A.; Ono, S.; Chen, Z. H.; Facchetti, A.; Morpurgo, A. F. Adv. Mater. 2012, 24, 503.
10. Ito, Y.; Virkar, A. A.; Mannsfeld, S.; Oh, J. H.; Toney, M.; Locklin, J.; Bao, Z. A. J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 9396.
11. Pathak, S.; Sakai, N.; Rivarola, F. W. R.; Stranks, S. D.; Liu, J. W.; Eperon, G. E.; Ducati, C.; Wojciechowski, K.; Griffiths, J. T.; Haghighirad, A. A.; Pellaroque, A.; Friend, R. H.; Snaith, H. J. Chem. Mater. 2015, 27, 8066.
12. Long, D. X.; Baeg, K. J.; Xu, Y.; Kang, S. J.; Kim, M. G.; Lee, G. W.; Noh, Y. Y. Adv. Funct. Mater. 2014, 24, 6484.
13. Kim, C. H.; Hlaing, H.; Hong, J. A.; Kim, J. H.; Park, Y.; Payne, M. M.; Anthony, J. E.; Bonnassieux, Y.; Horowitz, G.; Kymissis, I. Adv. Mater. Interfaces 2015, 2, 1400384.
14. Newman, C. R.; Frisbie, C. D.; da Silva, D. A.; Bredas, J. L.; Ewbank, P. C.; Mann, K. R. Chem. Mater. 2004, 16, 4436.
15. Zaumseil, J.; Sirringhaus, H. Chem. Rev. 2007, 107, 1296.
16. Bolognesi, A.; Di Carlo, A.; Lugli, P. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 4646.
17. Kelley, T. W.; Muyres, D. V.; Baude, P. F.; Smith, T. P.; Jones, T. D. In High Performance Organic Thin Film Transistors, MRS proceedings, 2003; Cambridge Univ Press: 2003; p L6. 5.
18. Llorente, G. R.; Dufourg-Madec, M.-B.; Crouch, D. J.; Pritchard, R. G.; Ogier, S.; Yeates, S. G. Chem. Commun. 2009, 3059.
19. Gao, P.; Beckmann, D.; Tsao, H. N.; Feng, X.; Enkelmann, V.; Baumgarten, M.; Pisula, W.; Müllen, K. Adv. Mater. 2009, 21, 213.
20. Bao, Z.; Lovinger, A. J.; Dodabalapur, A. Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 3066.
21. Hu, W.; Liu, Y.; Xu, Y.; Liu, S.; Zhou, S.; Zhu, D. Synth. Met. 1999, 104, 19.
22. Tang, Q.; Li, H.; He, M.; Hu, W.; Liu, C.; Chen, K.; Wang, C.; Liu, Y.; Zhu, D. Adv. Mater. 2006, 18, 65.
23. Tang, Q.; Li, H.; Song, Y.; Xu, W.; Hu, W.; Jiang, L.; Liu, Y.; Wang, X.; Zhu, D. Adv. Mater. 2006, 18, 3010.
24. Ando, S.; Murakami, R.; Nishida, J.-i.; Tada, H.; Inoue, Y.; Tokito, S.; Yamashita, Y. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 14996.
25. So, F.; Forrest, S.; Shi, Y.; Steier, W. Appl. Phys. Lett. 1990, 56, 674.
26. Katz, H.; Lovinger, A.; Johnson, J.; Kloc, C.; Siegrist, T.; Li, W.; Lin, Y.-Y.; Dodabalapur, A. Nature 2000, 404, 478.
27. Rost, C.; Gundlach, D. J.; Karg, S.; Rieß, W. J. Appl. Phys. 2004, 95, 5782.
28. Gundlach, D.; Pernstich, K.; Wilckens, G.; Grüter, M.; Haas, S.; Batlogg, B. J. Appl. Phys. 2005, 98, 064502.
29. Itaka, K.; Yamashiro, M.; Yamaguchi, J.; Haemori, M.; Yaginuma, S.; Matsumoto, Y.; Kondo, M.; Koinuma, H. Adv. Mater. 2006, 18, 1713.
30. Singh, T. B.; Marjanović, N.; Stadler, P.; Auinger, M.; Matt, G.; Günes, S.; Sariciftci, N. S.; Schwödiauer, R.; Bauer, S. J. Appl. Phys. 2005, 97, 083714.
31. Brown, A.; De Leeuw, D.; Lous, E.; Havinga, E. Synth. Met. 1994, 66, 257.
32. Briseno, A. L.; Mannsfeld, S. C.; Ling, M. M.; Liu, S.; Tseng, R. J.; Reese, C.; Roberts, M. E.; Yang, Y.; Wudl, F.; Bao, Z. Nature 2006, 444, 913.
33. Menard, E.; Podzorov, V.; Hur, S. H.; Gaur, A.; Gershenson, M. E.; Rogers, J. A. Adv. Mater. 2004, 16, 2097.
34. Reese, C.; Chung, W.-J.; Ling, M.-m.; Roberts, M.; Bao, Z. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 202108.
35. Chen, Z.; Müller, P.; Swager, T. M. Org. Lett. 2006, 8, 273.
36. Weitz, R.; Amsharov, K.; Zschieschang, U.; Burghard, M.; Jansen, M.; Kelsch, M.; Rhamati, B.; Van Aken, P.; Kern, K.; Klauk, H. Chem. Mater. 2009, 21, 4949.
37. Klauk, H.; Zschieschang, U.; Weitz, R. T.; Meng, H.; Sun, F.; Nunes, G.; Keys, D. E.; Fincher, C. R.; Xiang, Z. Adv. Mater. 2007, 19, 3882.
38. Park, S. K.; Jackson, T. N.; Anthony, J. E.; Mourey, D. A. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 063514.
39. Kaur, I.; Jia, W.; Kopreski, R. P.; Selvarasah, S.; Dokmeci, M. R.; Pramanik, C.; McGruer, N. E.; Miller, G. P. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 16274.
40. Zeis, R.; Siegrist, T.; Kloc, C. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 022103.
41. Peumans, P.; Forrest, S. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 126.
42. Weng, S.-Z.; Shukla, P.; Kuo, M.-Y.; Chang, Y.-C.; Sheu, H.-S.; Chao, I.; Tao, Y.-T. ACS Appl. Mater. Interfaces 2009, 1, 2071.
43. Li, L.; Tang, Q.; Li, H.; Yang, X.; Hu, W.; Song, Y.; Shuai, Z.; Xu, W.; Liu, Y.; Zhu, D. Adv. Mater. 2007, 19, 2613.
44. Adiga, S. P.; Shukla, D. The J. Phys. Chem. C 2010, 114, 2751.
45. Shukla, D.; Nelson, S. F.; Freeman, D. C.; Rajeswaran, M.; Ahearn, W. G.; Meyer, D. M.; Carey, J. T. Chem. Mater. 2008, 20, 7486.
46. Seo, H.-S.; An, M.-J.; Zhang, Y.; Choi, J.-H. The J. Phys. Chem. C 2010, 114, 6141.
47. Tatemichi, S.; Ichikawa, M.; Koyama, T.; Taniguchi, Y. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 112108.
48. Anthopoulos, T. D.; Singh, B.; Marjanovic, N.; Sariciftci, N. S.; Montaigne Ramil, A.; Sitter, H.; Cölle, M.; de Leeuw, D. M. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 213504.
49. Ong, B. S.; Wu, Y.; Liu, P.; Gardner, S. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 3378.
50. Baeg, K. J.; Caironi, M.; Noh, Y. Y. Adv. Mater. 2013, 25, 4210.
51. Yan, H.; Chen, Z.; Zheng, Y.; Newman, C.; Quinn, J. R.; Dötz, F.; Kastler, M.; Facchetti, A. Nature 2009, 457, 679.
52. Kumar, B.; Kaushik, B. K.; Negi, Y. J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2014, 25, 2801.
53. Dimitrakopoulos, C. D.; Mascaro, D. J. IBM J. Res. Dev. 2001, 45, 11.
54. Nair, V. S.; Sun, J.; Qi, P.; Yang, S.; Liu, Z.; Zhang, D.; Ajayaghosh, A. Macromolecules 2016, 49, 6334.
55. Garnier, F.; Hajlaoui, R.; El Kassmi, A.; Horowitz, G.; Laigre, L.; Porzio, W.; Armanini, M.; Provasoli, F. Chem. Mater. 1998, 10, 3334.
56. Ashraf, R. S.; Meager, I.; Nikolka, M.; Kirkus, M.; Planells, M.; Schroeder, B. C.; Holliday, S.; Hurhangee, M.; Nielsen, C. B.; Sirringhaus, H.; McCulloch, I. J. Am. Chem. Soc. 2015, 137, 1314.
57. Klauk, H.; Schmid, G.; Radlik, W.; Weber, W.; Zhou, L.; Sheraw, C. D.; Nichols, J. A.; Jackson, T. N. Solid-State Electron. 2003, 47, 297.
58. Veres, J.; Ogier, S. D.; Leeming, S. W.; Cupertino, D. C.; Mohialdin Khaffaf, S. Adv. Funct. Mater. 2003, 13, 199.
59. Sirringhaus, H.; Kawase, T.; Friend, R.; Shimoda, T.; Inbasekaran, M.; Wu, W.; Woo, E. Science 2000, 290, 2123.
60. McCulloch, I.; Heeney, M.; Bailey, C.; Genevicius, K.; MacDonald, I.; Shkunov, M.; Sparrowe, D.; Tierney, S.; Wagner, R.; Zhang, W. Nat. Mater. 2006, 5, 328.
61. Shim, C.-H.; Maruoka, F.; Hattori, R. IEEE Trans. Electron Devices 2010, 57, 195.
62. Chabinyc, M. L. J. Vac. Sci. Technol., B: Microelectron. Nanometer Struct. Process., Meas., Phenom. 2008, 26, 445.
63. Hwang, Y.-J.; Murari, N. M.; Jenekhe, S. A. Polym. Chem. 2013, 4, 3187.
64. Babel, A.; Jenekhe, S. A. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 13656.
65. Malenfant, P. R.; Dimitrakopoulos, C. D.; Gelorme, J. D.; Kosbar, L. L.; Graham, T. O.; Curioni, A.; Andreoni, W. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 2517.
66. Li, J.; Du, J.; Xu, J.; Chan, H. L.; Yan, F. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 21.
67. Rost, C.; Karg, S.; Riess, W.; Loi, M. A.; Murgia, M.; Muccini, M. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 1613-1615.
68. Tada, K.; Harada, H.; Yoshino, K. Jpn. J. Appl. Phys. 1997, 36, L718.
69. Babel, A.; Zhu, Y.; Cheng, K. F.; Chen, W. C.; Jenekhe, S. A. Adv. Funct. Mater. 2007, 17, 2542.
70. Russell, D. M.; Newsome, C. J.; Li, S. P.; Kugler, T.; Ishida, M.; Shimoda, T. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 222109.
71. Hamilton, R.; Smith, J.; Ogier, S.; Heeney, M.; Anthony, J. E.; McCulloch, I.; Veres, J.; Bradley, D. D.; Anthopoulos, T. D. Adv. Mater. 2009, 21, 1166.
72. Kang, J.; Shin, N.; Jang, D. Y.; Prabhu, V. M.; Yoon, D. Y. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 12273.
73. Lee, W. H.; Lim, J. A.; Kwak, D.; Cho, J. H.; Lee, H. S.; Choi, H. H.; Cho, K. Adv. Mater. 2009, 21, 4243.
74. Chung, Y. S.; Shin, N.; Kang, J.; Jo, Y.; Prabhu, V. M.; Satija, S. K.; Kline, R. J.; DeLongchamp, D. M.; Toney, M. F.; Loth, M. A. J. Am. Chem. Soc. 2010, 133, 412.
75. Shkunov, M.; Simms, R.; Heeney, M.; Tierney, S.; McCulloch, I. Adv. Mater. 2005, 17, 2608.
76. Hwang, D. K.; Fuentes-Hernandez, C.; Berrigan, J. D.; Fang, Y.; Kim, J.; Potscavage, W. J.; Cheun, H.; Sandhage, K. H.; Kippelen, B. J. Mater. Chem. 2012, 22, 5531.
77. Lu, G.; Blakesley, J.; Himmelberger, S.; Pingel, P.; Frisch, J.; Lieberwirth, I.; Salzmann, I.; Oehzelt, M.; Di Pietro, R.; Salleo, A. Nat. Commun. 2013, 4, 1588.
78. Morana, M.; Koers, P.; Waldauf, C.; Koppe, M.; Muehlbacher, D.; Denk, P.; Scharber, M.; Waller, D.; Brabec, C. Adv. Funct. Mater. 2007, 17, 3274.
79. Wei, Z.; Xi, H.; Dong, H.; Wang, L.; Xu, W.; Hu, W.; Zhu, D. J. Mater. Chem. 2010, 20, 1203.
80. Labram, J. G.; Domingo, E. B.; Stingelin, N.; Bradley, D. D.; Anthopoulos, T. D. Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 356.
81. El Gemayel, M.; Narita, A.; Dössel, L. F.; Sundaram, R. S.; Kiersnowski, A.; Pisula, W.; Hansen, M. R.; Ferrari, A. C.; Orgiu, E.; Feng, X. Nanoscale 2014, 6, 6301.
82. Chiu, Y.-C.; Chen, T.-Y.; Chueh, C.-C.; Chang, H.-Y.; Sugiyama, K.; Sheng, Y.-J.; Hirao, A.; Chen, W.-C. J. Mater. Chem. C 2014, 2, 1436.
83. Chu, P.-H.; Zhang, L.; Colella, N. S.; Fu, B.; Park, J. O.; Srinivasarao, M.; Briseño, A. L.; Reichmanis, E. ACS Appl. Mater. Interfaces 2015, 7, 6652.
84. Kjellander, B.; Smaal, W. T.; Anthony, J. E.; Gelinck, G. H. Adv. Mater. 2010, 22, 4612.
85. Temiño, I.; Del Pozo, F. G.; Ajayakumar, M.; Galindo, S.; Puigdollers, J.; Mas‐Torrent, M. Adv. Mater. Technol. 2016, 1, 1600090.
86. He, Z.; Li, D.; Hensley, D. K.; Rondinone, A. J.; Chen, J. Appl. Phys. Lett. 2013, 103, 167.
87. Tang, W.; Feng, L.; Zhao, J.; Cui, Q.; Chen, S.; Guo, X. J. Mater. Chem. C 2014, 2, 1995.
88. Kim, Y.-H.; Anthony, J. E.; Park, S. K. Org. Electron. 2012, 13, 1152.
89. Soeda, J.; Okamoto, T.; Mitsui, C.; Takeya, J. Org. Electron. 2016, 39, 127.
90. Kaimakamis, T.; Pitsalidis, C.; Papamichail, A.; Laskarakis, A.; Logothetidis, S. RSC Adv. 2016, 6, 97077.
91. Yuan, Y.; Giri, G.; Ayzner, A. L.; Zoombelt, A. P.; Mannsfeld, S. C.; Chen, J.; Nordlund, D.; Toney, M. F.; Huang, J.; Bao, Z. Nat. Commun. 2014, 5, 3005.
92. Ahmadi, S.; Asim, N.; Alghoul, M.; Hammadi, F.; Saeedfar, K.; Ludin, N. A.; Zaidi, S. H.; Sopian, K. Int. J. Photoenergy 2014, 2014, 1.
93. Diao, Y.; Shaw, L.; Bao, Z.; Mannsfeld, S. C. Energy Environ. Sci. 2014, 7, 2145.
94. Yang, H.; Shin, T. J.; Yang, L.; Cho, K.; Ryu, C. Y.; Bao, Z. Adv. Funct. Mater. 2005, 15, 671.
95. Kim, J.; Cho, S.; Kang, J.; Kim, Y.-H.; Park, S. K. ACS Appl. Mater. Interfaces 2014, 6, 7133.
96. Yuan, Y.; Giri, G.; Ayzner, A. L.; Zoombelt, A. P.; Mannsfeld, S. C.; Chen, J.; Nordlund, D.; Toney, M. F.; Huang, J.; Bao, Z. Nat. Commun. 2014, 5, 3005.
97. Kim, S. S.; Na, S. I.; Jo, J.; Tae, G.; Kim, D. Y. Adv. Mater. 2007, 19, 4410.
98. Cavallini, M.; Stoliar, P.; Moulin, J.-F.; Surin, M.; Leclère, P.; Lazzaroni, R.; Breiby, D. W.; Andreasen, J. W.; Nielsen, M. M.; Sonar, P. Nano Lett. 2005, 5, 2422.
99. Singh, M.; Haverinen, H. M.; Dhagat, P.; Jabbour, G. E. Adv. Mater. 2010, 22, 673.
100. Na, S.-I.; Kim, S.-S.; Kwon, S.-S.; Jo, J.; Kim, J.; Lee, T.; Kim, D.-Y. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 173509.
101. Xie, T.; Xie, G.; Du, H.; Zhou, Y.; Xie, F.; Jiang, Y.; Tai, H. IEEE Sens. J. 2016, 16, 1865.
102. Hwang, J.; Lee, J.; Kim, Y.; Lee, E.; Wang, Y.; Kim, H. Curr. Appl. Phys. 2011, 11, S154.
103. Chang, J.; Lin, Z.; Li, J.; Lim, S. L.; Wang, F.; Li, G.; Zhang, J.; Wu, J. Adv. Electron. Mater. 2015, 1, 1500036.
104. Tszydel, I.; Kucinska, M.; Marszalek, T.; Rybakiewicz, R.; Nosal, A.; Jung, J.; Gazicki‐Lipman, M.; Pitsalidis, C.; Gravalidis, C.; Logothetidis, S. Adv. Funct. Mater. 2012, 22, 3840.
105. Pierre, A.; Sadeghi, M.; Payne, M. M.; Facchetti, A.; Anthony, J. E.; Arias, A. C. Adv. Mater. 2014, 26, 5722.
106. Giri, G.; Park, S.; Vosgueritchian, M.; Shulaker, M. M.; Bao, Z. Adv. Mater. 2014, 26, 487.
107. Becerril, H. A.; Roberts, M. E.; Liu, Z.; Locklin, J.; Bao, Z. Adv. Mater. 2008, 20, 2588.
108. Lee, W. Y.; Oh, J. H.; Suraru, S. L.; Chen, W. C.; Würthner, F.; Bao, Z. Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 4173
109. Lee, J.; Han, A.; Hong, J.; Seo, J. H.; Oh, J. H.; Yang, C. Adv. Funct. Mater. 2012, 22, 4128.
110. Geib, S.; Zschieschang, U.; Gsänger, M.; Stolte, M.; Würthner, F.; Wadepohl, H.; Klauk, H.; Gade, L. H. Adv. Funct. Mater. 2013, 23, 3866.
111. Lee, W. Y.; Giri, G.; Diao, Y.; Tassone, C. J.; Matthews, J. R.; Sorensen, M. L.; Mannsfeld, S. C.; Chen, W. C.; Fong, H. H.; Tok, J. B. H. Adv. Funct. Mater. 2014, 24, 3524.
112. Shin, J.; Hong, T. R.; Lee, T. W.; Kim, A.; Kim, Y. H.; Cho, M. J.; Choi, D. H. Adv. Mater. 2014, 26, 6031.
113. Yu, H.; Cho, H.-H.; Cho, C.-H.; Kim, K.-H.; Kim, D. Y.; Kim, B. J.; Oh, J. H. ACS Appl. Mater. Interfaces 2013, 5, 4865.
114. Liu, Z.; Oh, J. H.; Roberts, M. E.; Wei, P.; Paul, B. C.; Okajima, M.; Nishi, Y.; Bao, Z. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 132.
115. Lu, C.; Chen, W. C. Chem. - Asian J. 2013, 8, 2813.
116. Giri, G.; DeLongchamp, D. M.; Reinspach, J.; Fischer, D. A.; Richter, L. J.; Xu, J.; Benight, S.; Ayzner, A.; He, M.; Fang, L. Chem. Mater. 2015, 27, 2350.
117. Oh, J. H.; Lee, W.-Y.; Noe, T.; Chen, W.-C.; Könemann, M.; Bao, Z. J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 4204.
118. Gsänger, M.; Kirchner, E.; Stolte, M.; Burschka, C.; Stepanenko, V.; Pflaum, J.; Würthner, F. J. Am. Chem. Soc. 2014, 136, 2351.
119. Meng, Q.; Zhang, F.; Zang, Y.; Huang, D.; Zou, Y.; Liu, J.; Zhao, G.; Wang, Z.; Ji, D.; Di, C.-a. J. Mater. Chem. C 2014, 2, 1264.
120. Yu, H.; Park, K. H.; Song, I.; Kim, M.-J.; Kim, Y.-H.; Oh, J. H. J. Mater. Chem. C 2015, 3, 11697.
121. Yasuda, T.; Goto, T.; Fujita, K.; Tsutsui, T. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 2098.
122. Lee, W. H.; Park, Y. D. Polymers 2014, 6, 1057.
123. Zhang, X.; Johnson, J. P.; Kampf, J. W.; Matzger, A. J. Chem. Mater. 2006, 18, 3470.

指導教授

劉振良(Cheng-Liang Liu)

審核日期

2017-8-4

推文