博碩士論文 104521006 詳細資訊




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姓名 吳奇韋(Chi-Wei Wu)  查詢紙本館藏   畢業系所 電機工程學系
論文名稱 P型金屬氧化物與硫化物之研究
(P-type metal oxide and sulfide)
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摘要(中) 近年來,人們對於電子產品的隨身攜帶性要求愈來愈高,電子元件的微縮顯得日益重要,元件朝著輕、薄、透明成了一種未來的趨勢,由於現階段的透明導電薄膜仍存在著一些缺點,開發新的材料成了一項重要的課題。
本論文將著重於p-type氧化鋅靶材的製備及對其濺鍍出之薄膜進行探討,並同時開發新的p-type導電材料,如三氧化二鉻及硫化銅,利用摻雜燒結的方式提升塊材特性,並進行量測分析,期望以本實驗之結果對開發新型p-type導電材料做出貢獻。
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摘要(英)
In recent years, wearable electronics has brought a lot of attentions due to its potential applications and advantages of miniature, light weight, and transparency. However, there were still many problems in common transparent thin film. Therefore, it is stringent for the research of new materials.
This study focuses on the preparation of p-type zinc oxide target and thin film, as well as the development of other new conductive materials, including chrome trioxide and copper sulfide. Several doping species and process was conducted and the analysis on the materials properties was carried out for thorough study.
關鍵字(中) ★ P型金屬氧化物與硫化物之研究 關鍵字(英)
論文目次
目錄
摘要 i
Abstract ii
致謝 iii
第一章 緒論 1
1-1前言 1
1-2研究動機 2
第二章 理論基礎與文獻回故 3
2-1 氧化鋅摻雜 3
2-2 酸鹼中和與化學共沉澱法 3
2-3 熱壓燒結法 4
2-4 冷壓燒結法 4
第三章 實驗流程與儀器介紹 5
3-1 P型氧化鋅靶材製作與鍍膜 5
3-2 氧化鎳及氧化鋅粉末還原 7
3-3 三氧化二鉻粉末摻雜 9
3-4硫化銅粉末 9
3-5實驗儀器 10
第四章 實驗結果分析 19
4-1氧化鋅薄膜量測分析 19
4-2 三氧化二鉻塊材量測分析 20
4-3 硫化銅塊材量測分析 23
4-4 結論與未來展望 25
參考文獻 26
參考文獻

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指導教授 辛正倫 審核日期 2017-9-28
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