博碩士論文 84246003 詳細資訊




以作者查詢圖書館館藏 以作者查詢臺灣博碩士 以作者查詢全國書目 勘誤回報 、線上人數:9 、訪客IP:3.133.108.241
姓名 黃繼億(Ji-Yi Huang)  查詢紙本館藏   畢業系所 光電科學與工程學系
論文名稱 經氣氛處理之鈦酸鋇單晶其光折變性質及電荷移轉與波長的關係
相關論文
★ 富含矽奈米結構之氧化矽薄膜之成長與其特性研究★ 導波共振光學元件應用於生物感測器之研究
★ 具平坦化側帶之超窄帶波導模態共振濾波器研究★ 低溫成長鍺薄膜於單晶矽基板上之研究
★ 矽鍺薄膜及其應用於光偵測器之研製★ 低溫製備磊晶鍺薄膜及矽基鍺光偵測器
★ 整合慣性感測元件之導波矽基光學平台研究★ 矽基光偵測器研製與整合於光學波導系統
★ 光學滑鼠用之光學元件設計★ 高效率口袋型LED 投影機之研究
★ 在波長為532nm時摻雜鉬之鈦酸鋇單晶性質研究★ 極化繞射光學元件在高密度光學讀取頭上之應用研究
★ 不同溫度及波長之摻銠鈦酸鋇單晶性質研究★ 在不同溫度時氣氛處理鈦酸鋇單晶性質之比較
★ 摻銠鈦酸鋇單晶的氧化還原與光折變性質★ 熔融法折射式微透鏡陣列之設計製造與檢測
檔案 [Endnote RIS 格式]    [Bibtex 格式]    [相關文章]   [文章引用]   [完整記錄]   [館藏目錄]   [檢視]  [下載]
  1. 本電子論文使用權限為同意立即開放。
  2. 已達開放權限電子全文僅授權使用者為學術研究之目的,進行個人非營利性質之檢索、閱讀、列印。
  3. 請遵守中華民國著作權法之相關規定,切勿任意重製、散佈、改作、轉貼、播送,以免觸法。

摘要(中) 為配合不同的應用,
發展製程技術以調整材料的光折變性質,
是一個重要的課題。
電荷移轉是鈦酸鋇單晶光折變性質的關鍵,
找出電荷移轉的機制,
也就找出了控制鈦酸鋇單晶光折變性質的方法,
而氣氛處理不只是調整鈦酸鋇單晶光折變性質的重要製程,
也提供了一個有系統地改變雜質濃度的方法。
是故,
本研究中,
製作了一系列經氣氛處理的鈦酸鋇單晶,
以波長為 514.5 的雷射量測了能量增益比、
應答時間及黑暗衰減,
同時也量測了吸收光譜。
發現黑暗導電率、
電子電洞競爭及深淺能階影響著鈦酸鋇單晶光折變能量增益比、
應答速度及黑暗衰減。
而以上三者對光折變性質的影響會因氣氛處理而改變,
為了解開電子電洞競爭的疑雲,
及進一步了解波長對光折變性質的影響,
本研究中也以不同波長的雷射光量測了能量增益比與入射光強度的關係。
其結果顯示鈦酸鋇單晶經適當的還原處理 ($10^{-8}atm$) 會呈現電子電洞競爭的現象,
同時也為波長與光折變性質的關係提供了相關的資料。
近年的研究顯示電荷移轉決定了材料的光折變性質,
本研究也嘗試著以光誘吸收差光譜配合波長與能量增比的關係,
把電荷移轉的機制找出來。
經由解析光誘吸收差光譜成功地找出了電荷移轉與波長的關係,
也發現鈦酸鋇單晶的光折變性質主要由電荷移轉來決定,
而波長決定發生何種電荷移轉。
關鍵字(中) ★ 光折變
★ 鈦酸鋇
★ 氣氛處理
★ 電荷移轉
關鍵字(英)
論文目次 封面
目次
圖目次
表目次
論文提要
1 導論
2 氣氛處理對鈦酸鋇單晶光折變性質的影響
2.1 簡介
2.2 實驗方法及結果
2.3 討論
2.4 結論
3 光折變性質與波長的關係
3.1 簡介
3.2 能增益比與入射光波長的關係
3.3 總結
4 電荷移轉與波長的關係
4.1 光誘吸收差光譜
4.2 解析光誘吸收差光譜
4.3 經氣氛處理之鈦酸鋇單晶之電荷移轉與波長的關係
4.4 總結
5 結論
參考文獻
參考文獻 [1] P. G"{u}nter and J. -P. Huignard, eds., Photorefractive Material and Their Applications I and II, Vols.
61 and 62 of Topics in Applied Physics (Springer-Verlag, Berlin, 1988, 1989)
[2]N. V. Kukhtarev, V. B. Markov, S. G. Odoulov, M. S. Soskin and V. L. Vinetskii: Ferroelectrics 22,
949(1979).
[3]G. C. Valley: J. Appl. Phys. 59, 3363(1986).
[4]F. P. Strohkendl, J. M. C. Jonathan and R. W. Hellwarth: Opt. Lett. 11, 312(1986).
[5]R. N. Schwartz, and B. A. Wechsler: Phys. Rev. B 48, 7057(1993).
[6]H. Kross, R. Scharfschwerdt, O. F. Schirmer and H. Hesse: Appl. Phys. B 61, 1(1995).
[7]H. Kross, E. Possenriede, R. Scharfschwerdt, T. Varnhorst, O. F. Schirmer, H. Hesse and C. Kuper: Optical
Materials 4, 153(1995).
[8]A. Ashkin, G. D. Boyd, J. M. Dziedic, R. G. Smith, A. A. Ballman, J. J. Levinstein, K. Nassau: Appl. Phys.
Lett. 9, 72(1966).
[9]F. S. Chen, J. T. LaMacchia, D. B. Fraser: Appl. Phys. Lett. 13. 223(1968).
[10]Ph. Delaye, L. A. Montmorillon, I. Biaggio, J. C. Launay, G. Rossen:
Opt. Commun. 134(1997)580.
[11]Mingjun Chi, S. X. Dou, Yoing Zhu, Peixian Ye: Opt. Commun. 170(1999)115.
[12]K. Buse: Appl. Phys. B 64, 273-291(1997).
[13]K. Buse: Appl. Phys. B. 64, 391-407(1997).
[14]J. I. Pankove: Optical Processes in Semiconductors, Dover Publications, New York,1971.
[15]M. B. Klein and George C. Valley: J. Appl. Phys. 57(11), 4901(1985)
[16]P. G. Schunemann, D. A. Temple, R. S. Hathcock, H. L. Tuller, H. P. Jenssen, D. R. Gable, and C. Warde: J.
Opt. Soc. Am. B 5(8), 1685(1988)
[17]U. van Stevendaal, K. Buse, S. Kamper, H. Hesse, E. Kr"{a}tzig: Appl. Phys. B 63, 315-321(1996)
[18]K. Buse and Kr"{a}zig:Appl. Phys. B61, 27(1995).
[19]K. Buse, S. Loheide, D. Sabber, and E. Kr"{a}zig: JOSA B 13, 2644(1996).
[20]K. Buse: Appl. Phys. B 64, 273(1997).
[21]S. Ducharme and Feinberg: J. Opt. Soc. Am. B 3, 283(1986).
[22]P. G. Schunemann, T. M. Pollak, Y. Yang, Y. -Y. Teng and C. Wong:J. Opt. Soc. Am. B 5, 1702(1988).
[23]B. A. Wechsler and M. B. Klein: JOSA B 5, 1711(1988).
[24]A. Lahlafi, G. Godefroy, G. Ormancey, and P. Jullien: J. Opt. Soc. Am. B 10, 1276(1993).
[25]Hongwei Song, S. X. Dou, Mingjun Chi, Hong Gao, Yong Zhu, and Peixian Ye: Opt. Soc. Am. B 15(4), 1329(1998)
[26]U. van Stevendall, K. Buse, H. Malz, and Kr"{a}tzig: Optics Letters 24(13), 908(1999)
[27]Y. M. Chang, H. F. Wang, C. Rudowicz: J. Opt. Soc. Am. B 12(4), 544(1995).
[28]A. Mazur, O. F. Schimer, and S. Mendricsk: Appl. Phys. Lett. 70(18), 2395(1997).
[29]M. B. Klein and George C. Valley: J. Appl. Phys. 57(11), 4901(1985).
[30]P. Tayebati: J. Opt. Soc. Am. B 9(3), 415(1992).
[31]Parviz Tayebati and Daniel Mahgerefteh: J. Opt. Soc. Am. B 8(5), 1053(1991).
[32]H. Kr"{o}se, R. Scharfschwerdt, A. Mazur, O. F. Schimer: Appl. Phys. B 67, 79-86(1998).
[33]V. L. Vinetskii, N. V. Kukhtarev: Sov. Phys. Solid. State 16, 2414(1975).
[34]J. Y. Chang, C. R. Chinjen, R. H. Tsou, C. Y. Huang, C. C. Sun and M. W. Chang: Opt. Comm. 138, 101(1997).
[35]M. H. Garrett, J. Y. Chang, H. P. Jenssen and C. Warde: J. Opt. Soc. Am. B 9, 1408(1992).
[36]D. Mahgerefteh:Ph. D. dissertation, (University of Southern California, Los Angeles, Calif., 1990)
[37]D. Mahgerefteh and J. Feinberg: Phys. Rev. Lett. 64, 2195(1990).
[38]J. Y. Chang, M. H. Garrett, P. Tayebati, H. P. Jenssen, and C. Warde: JOSA B 12, 248(1995).
[39]J. Feinberg, D. Heiman, A. R. Tanguay, Jr. and R. W. Hellwarth: J. Appl. Phys. 51, 1297(1980).
[40]Ashkin, G. Boyd, J. M. Dziedzic, R. G. Smith, A. A. Kallman, J. J. Levinstein and K. Nassau: Appl. Phys.
Lett., Vol. 9, 72(1966).
指導教授 張正陽(Jenq-Yang Chang) 審核日期 2000-7-11
推文 facebook   plurk   twitter   funp   google   live   udn   HD   myshare   reddit   netvibes   friend   youpush   delicious   baidu   
網路書籤 Google bookmarks   del.icio.us   hemidemi   myshare   

若有論文相關問題,請聯絡國立中央大學圖書館推廣服務組 TEL:(03)422-7151轉57407,或E-mail聯絡  - 隱私權政策聲明