博碩士論文 87222001 詳細資訊




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姓名 莊惠雯(Hui-wen Chuang)  查詢紙本館藏   畢業系所 物理學系
論文名稱 氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井的激發光譜
(Edge-emission and surface-emission spectra of InGaN/GaN multiple quantum well structures)
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摘要(中) 本論文中以螢光光譜、邊緣幾何量測光激發光譜以及X-ray繞射光譜分析氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井磊晶之銦成份及其結構。由兩片銦成份為22%與35%之氮化銦鎵量子井試片觀察其光譜特性,並探討高銦成份之氮化銦鎵多重量子井試片在光激發光譜中數個波峰產生的原因,目前比較有可能的推論是量子能階之間的躍遷所致。除此之外,從光譜得知十分鐘900℃快速熱退火的製程對銦成份35%之高銦氮化銦鎵多重量子井結構的影響不大,但是在光性上卻有明顯的不同。
關鍵字(中) ★ 氮化銦鎵
★ 氮化鎵
★ 多重量子井
★ 激發光譜
關鍵字(英) ★ InGaN
★ GaN
★ multiple quantum well
★ optical pumping
論文目次 目錄
目錄
表目錄
圖目錄
第一章 導論
第二章 X-ray磊晶結構及光激發光譜理論之分析與儀器
2.1 X-ray繞射之光譜分析
2.1.1 X-ray繞射之基本理論
2.1.2 X-ray繞射量測裝置
2.2 發光光譜之分析
2.2.1 光譜分析之理論
2.2.2 光譜量測裝置
(一) 螢光光譜量測裝置
(二) 邊緣光激發光譜量測裝置
第三章 氮化銦鎵/氮化鎵(In0.22Ga0.78N/GaN)多重量子井之光譜研究
3.1 磊晶結構
3.2 X-ray繞射之結構分析
3.3 螢光光譜之分析
3.4 光激發光譜之分析
3.5 結論
第四章 高銦成份氮化銦鎵/氮化鎵(In0.35Ga0.65N/GaN)多重量子井之光譜研究
4.1 磊晶結構
4.2 X-ray繞射之結構分析
4.3 螢光光譜之分析
4.4 光激發光譜之分析
4.5 結論
第五章 總結與未來工作
5.1 總結
5.2 未來工作
表、圖
參考文獻
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指導教授 紀國鐘(Gou-Chung Chi) 審核日期 2000-6-29
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