垂直耦合自聚性砷化銦鎵量子點之光學特性研究

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許世祿(She-Lu Hsu) 查詢紙本館藏

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物理學系

論文名稱

垂直耦合自聚性砷化銦鎵量子點之光學特性研究

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摘要(中)

本篇論文主要是利用穿透式電子顯微鏡（TEM）及調制反射光譜探討垂直耦合自聚性砷化銦鎵量子點之成長行為及光學性質。
由電子顯微鏡觀察到多層砷化銦鎵量子點在成長時會有垂直耦合而形成量子點柱的現象，且量子點直徑也會趨向較均勻化。並由光激發螢光光譜的量測，得知量子點的耦合可有效的增進量子點螢光的均勻性。
在電場調制及光調制反射光譜中，可清楚的得到量子點及WL（Wetting Layer）的訊號，並發現該量子點訊號並非單純的能帶調制訊號，而可能與載子的填態調制相關。另外由改變直流偏壓的電場調制光譜中，還直接觀察到WL的量子能階史塔克效應（Stark effect）。最後利用法蘭茲-克第斯振盪（FKO）的量測，直接得到樣品的內建電場大小，並與理論計算的結果相吻合。

關鍵字(中)

★ 垂直耦合自聚性砷化銦鎵量子點之光學特性研究

關鍵字(英)

論文目次

摘要
誌謝
第一章簡介…………………………………………………………1
第二章垂直耦合自聚性量子點介紹………………………………5
2-1 單層自聚性量子點……………………………………5
2-2 垂直耦合自聚性量子點………………………………6
2-2-1 量子點柱的形成 ………………………………6
2-2-2 垂直耦合量子點之特殊現象 …………………9
2-2-3 垂直耦合量子點之光學性質 …………………9
第三章樣品結構與實驗裝置………………………………………11
3-1 樣品結構………………………………………………11
3-2 穿透式電子顯微鏡（TEM）…………………………13
3-2-1 成像原理 ………………………………………13
3-2-2 對比成因 ………………………………………14
3-2-3 菊池線（Kikuchi Line）………………………14
3-2-4 契合性析出物之成像 …………………………16
3-3 實驗樣品的TEM影像…………………………………17
3-4 光激發螢光光譜（PL）………………………………20
3-5 電調制及光調制反射光譜……………………………23
第四章結果與討論…………………………………………………27
4-1 TEM影像 ………………………………………………27
4-2 光激發螢光光譜 ………………………………………30
4-2-1 低溫螢光光譜 …………………………………30
4-2-2 變溫螢光光譜 …………………………………34
4-3 調制反射光譜…………………………………………39
4-3-1 電場調制反射光譜（ER）……………………39
4-3-2 光調制反射光譜（PR）………………………51
4-3-3 法蘭茲-克第斯振盪（FKO）…………………55
第五章結論…………………………………………………………67
5-1 穿透式電子顯微鏡（TEM）…………………………67
5-2 光激發螢光光譜（PL）………………………………67
5-3 調制反射光譜…………………………………………67
參考文獻……………………………………………………………69

參考文獻

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[19] 陳力俊等著,"材料電子顯微鏡",精密儀器發展中心出版。

指導教授

徐子民(Tzu-Min Hsu)

審核日期

2000-7-13

推文