博碩士論文 87246001 詳細資訊




以作者查詢圖書館館藏 以作者查詢臺灣博碩士 以作者查詢全國書目 勘誤回報 、線上人數:1 、訪客IP:3.233.229.90
姓名 林祐仲(Yow-Jon Lin)  查詢紙本館藏   畢業系所 光電科學與工程學系
論文名稱 經表面處理氮化鎵之特性研究
(Investigated the characteristics of the (NH4)2Sx-treated n-type GaN)
相關論文
★ 富含矽奈米結構之氧化矽薄膜之成長與其特性研究★ P型氮化鎵歐姆接觸製作研究
★ 應用聚對位苯基乙烯高分子材料製作有機發光二極體★ 氮離子佈植於氮化鎵之特性研究
★ 磷化銦鋁鎵/砷化鎵/砷化銦鎵對稱型平面摻雜場效電晶體研究★ 1550 nm 直調式光纖有線電視長距離傳輸系統
★ 以保角映射法為基礎之等效波導理論:理想光波導之設計與分析★ 銦鋅氧化膜基本特性及其與氮化鎵接觸應用之研究
★ 氮化鎵藍色發光二極體透明電極之製作與研究★ 透明導電膜與氮化鎵接觸特性研究
★ 連續時間電流式濾波與振盪電路設計與合成★ 氮化鋁鎵/氮化鎵異質接面金屬-半導體-金屬光檢測器之研究
★ 陣列波導光柵波長多工器設計與分析★ 室溫沈積高穩定性之氮化矽薄膜及其光激發光譜研究
★ 雙向混合DWDM系統架構在80-km LEAF上傳送CATV和OC-48信號★ N型氮化鎵MOS元件之製作與研究
檔案 [Endnote RIS 格式]    [Bibtex 格式]    [相關文章]   [文章引用]   [完整記錄]   [館藏目錄]   [檢視]  [下載]
  1. 本電子論文使用權限為同意立即開放。
  2. 已達開放權限電子全文僅授權使用者為學術研究之目的,進行個人非營利性質之檢索、閱讀、列印。
  3. 請遵守中華民國著作權法之相關規定,切勿任意重製、散佈、改作、轉貼、播送,以免觸法。

摘要(中) 在本次研究中,利用硫化銨 ((NH4) 2Sx) 溶液進行N型氮化鎵 (GaN) 表面處理,於蒸鍍鈦/鋁 (Ti/Al) 金屬後即形成特徵接觸電阻值5.0×10-5 Ω-cm2之歐姆接觸 (ohmic contact)。然後,再將它置於高溫爐在氮氣環境下,以300oC進行熱處理3分鐘即可獲得低的特徵接觸電阻值3.0×10-6 Ω-cm2 。另外,對於氮化鎵硫化處理效應更以各項實驗來加以驗證與推算,其包括:能夠完全去除氮化鎵表面原生氧化層,並且改善氮化鎵表面特性及提高表面載子濃度,以致於能夠形成非經熱處理之歐姆接觸、於氮化鎵表面形成鎵-硫(Ga-S) 鍵結防止表面再氧化、能夠減少表面態密度及表面複合速度和增加光子激發光光譜 (photoluminescence) 之強度、能獲得較好的蕭特基接觸 (Schottky contact) 特性。
關鍵字(中) ★ 表面態
★ 歐姆接觸
★ 表面處理
★ 特徵接觸電阻
★ 蕭特基接觸
關鍵字(英) ★ Schottky contact
★ ohmic contact
★ surface state
★ surface treatment
★ specific contact resistance
論文目次 封面
論文摘要
誌謝
目次
圖目
表目
一、前言
1. N型氮化鎵之歐姆接觸
2. 半導體的表面硫化處理
二、實驗方法與量測理論
1. X光光電子能譜儀量測
2. 反應離子蝕刻系統
3. 傳輸線模型
4. 電容-電壓量測
5. 光子激發光光譜測量
三、實驗步驟
1. 實驗A---利用XPS觀測未使用與使用硫化銨溶液處理的氮化鎵表面之差異
2. 實驗B---觀測未使用與使用硫化銨溶液處理的氮化鎵於蒸鍍金屬電極後未經熱處理與經過熱處理之電特性分析與比較
3. 實驗C---估算氮化鎵使用硫化銨溶液處理前後之表面態密度變化
4. 實驗D---光子激發光光譜測量未硫化與經過硫化處理之氮化鎵
四、實驗結果與討論
1. 利用XPS觀測未使用與使用硫化銨溶液處理的氮化鎵表面之差異
2. 觀測未使用與使用硫化銨溶液處理的氮化鎵於蒸鍍金屬電極後未經熱處理與經過熱處理之電特性分析與比較
3. 估算氮化鎵使用硫化銨溶液處理前後之表面態密度變化
4. 光子激發光光譜測量未硫化與經過硫化處理之氮化鎵
五、結論
參考文獻
本人發表之文章
參考文獻 1. M. A. Khan, A. Bhattarai, J. N. Kuznia, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 63, 1214 (1993).
2. S. Yoshida and J. Suzuki, J. Appl. Phys. 85, 7931 (1999).
3. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 2014 (1998).
4. J. S. Foresi, T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 62, 2859 (1993).
5. M. E. Lin, Z. Ma, F. Y. Huang, Z. Fan, L. H. Allen, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 64, 1003 (1994).
6. J. D. Guo, C. I. Lin, M. S. Feng, F. M. Pan, G. C. Chi, and C. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 68, 235 (1996).
7. K. V. Vassilevski, M. G. Rastegaeva, A. I. Babanin, I. P. Nikitina, and V. A. Dmitriev, Mater. Sci. Engineering B 43, 292 (1997).
8. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, M. J. Jou, C. C. Liu, C. M. Chang, W. C. Hung, J. S. Bow, and Y. C. Yu, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 729 (2000).
9. N. A. Papanicolaou, M. V. Rao, J. Mittereder, and W. T. Anderson,J. Vac. Sci. B 19, 261 (2001).
10. A. N. Bright, D. M. Tricker, C. J. Humphreys, and R. Davies, J. Electron. Mater. 30, L13 (2001).
11. H. Ishikawa, S. Kobayashi, Y. Koide, S. Yamasaki, S. Nagai, J. Umezaki, M. Murakami, J. Appl. Phys. 81, 1315 (1997).
12. L. L. Smith, S. W. King, R. J. Nemanich, and R. F. Davis. J. Electron. Mater. 25, 805 (1996).
13. J. Massies, J. Chaplart, M. Laviron, and N. T. Linh, Appl. Phys. Lett. 38, 693 (1981).
14. C. J. Sandroff, R. N. Nottenburg, J. C. Bischoff, and R. Bhat, Appl. Phys. Lett. 51, 33 (1987).
15. Y. Nannichi, J. Fan, H. Oigawa, and A. Koma, Jpn. J. Appl. Phys. 27, L2367 (1988).
16. Y. Nannichi and H. Oigawa, Extended Abstracts, 22nd Conf. Solid State Devices & Materials, Sendai 1990, 453 (Business Center for Academic Societies, Tokyo).
17. B. J. Skromme, C. J. Sandroff, E. Yablonovitch, and T. Gmitter, Appl. Phys. Lett. 51, 2022 (1987).
18. M. S. Carpenter, M. R. Melloch, M. S. Lundstrom, and S. P. Tobin, Appl. Phys. Lett. 52, 2157 (1988).
19. H. Oigawa, J. Fan, Y. Nannichi, K. Ando, K. Saiki, and A. Koma, Extended Abstracts, 20th Conf. Solid State Devices & Materials, Sendai 1988, (Business Center for Academic Societies Japan, Tokyo, 1988). p. 263.
20. J. Fan, H. Oigawa, and Y. Nannichi, Jpn. J. Appl. Phys. 27, L2125 (1988).
21. J. Fan, H. Oigawa, and Y. Nannichi, Jpn. J. Appl. Phys. 27, L1331 (1988).
22. J. Fan, Y. Kurata, and Y. Nannichi, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L2255 (1989).
23. P. S. Dutta, K. S. Sangunni, H. L. Bhat, and Vikram Kumar, Appl. Phys. Lett. 65, 1695 (1994).
24. H. Ishimura, K. Sasaki, and H. Tokuda, Int. Symp. GaAs and Related Compounds, Karuizawa, 1989, p. 405.
25. H. Oigawa, Y. Kurata, J. Fan, and Y. Nannichi, Extended Abstracts of the 37th Spring Meeting, 1990 (The Japan Society of Applied Physics and Related Societies, Chiba, 1990), paper 30a-M9.
26. X. Zhang, F. Zhang, E. Lu, and P. Xu, Vacuum, 57, 145 (2000).
27. X. A. Cao, S. J. Pearton, G. Dang, A. P. Zhang. F. Ren, and J. M. Van Hove, Appl. Phys. Lett. 75, 4130 (1999).
28. G. L. Martizen, M. R. Curiel, B. J. Skromme, and R. J. Molnar, J. Electron. Mater. 29, 325 (2000).
29. 汪建民,材料分析,中國材料科學學會 (1998).
30. 王志方,材料表面測定技術,復漢出版社 (1999).
31. 黃振昌, “X 光光電子能譜儀”, 收錄於儀器總覽6-表面分析儀器 p.5, 行政院國家科學委員會精密儀器發展中心出版 (1998).
32. 張勁燕, “電子材料”, 五南出版社 (2000).
33. G. K. Reeves and H. B. Harrison, IEEE Electron Device Lett. EDL 3, 111 (1982).
34. 高孝維, “N-型氮化鎵高熱穩定性歐姆接觸之研究”, 國立中央大學光電科學研究所碩士論文 (1999).
35. Semiconductors Group IV Elements and III-V Compounds, edited by O. Madelung (Springer, Berlin, 1991), p. 89.
36. P. Hacke, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, and Sawaki, Appl. Phys. Lett. 63, 2676 (1993).
37. K. Kuriyama, T. Tsunoda, N. Hayashi, and Y. Takahashi, Phys. Research B148, 432 (1999).
38. C. D. Tsai and C. T. Lee, J. Appl. Phys. 87, 4230, (2000).
39. J. D. Choi and L. T. Thompson, Appl. Surface Sci. 93, 143 (1996).
40. Y. Inoue, M. Nomiya, and O. Takai, Vacuum, 51, 673 (1998).
41. J. P. Zhang, D. Z. Sun, X. B. Li, X. L. Wang, M. Y. Kong, Y. P. Zeng, J. M. Li, and L.Y. Lin, J. Crystal Growth, 201/202, 429 (1999).
42. I. M. Band, Y. I. Kharitonov, and M. B. Trzhaskovskaya, At. Data Nucl. Data Table, 23, 443 (1979).
43. Y. Fukuda, Y. Suzuki, and N. Sanada, J. Appl. Phys. 76, 3059 (1994).
44. M. Sakata and K. Ikoma, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 3813 (1994).
45. M. M. Hyland and G. M. Bancroft, Geochim. Cosmochin. Acta 53, 367 (1989).
46. J. K. Kim, J. L. Lee, J. W. Lee, Y. J. Park, and T. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B17, 497 (1999).
47. 廖清賢, “氮化鎵之光電化學反應與應用”, 國立台灣大學光電工程學研究所碩士論文 (2000).
48. B. P. Luther, S. E. Mohney, T. N. Jackson, M. Asif Khan, Q. Chen, and J. W. Yang, Appl. Phys. Lett. 70, 57 (1997).
49. M. Ben-Tzur, M. Eizenberg, and J. Greenblatt, J. Appl. Phys. 69, 3907 (1991).
50. S. C. Binari, H. B. Dietrich, G. Kelner, L. B. Rowland, K. Doverspike, and D. K. Gaskill, Electron. Lett. 30, 909 (1994).
51. M. Wittmer, J. Vac. Technol. A3, 1797 (1985).
52. L. L. Smith, R. F. Davis, R-J. Liu, M. J. Kim, and R. W. Carpenter, J. Mater. Res. 14, 1032 (1999).
53. C. T. Wu and A. Kahn, J. Vac. Sci. Technol. B16, 2218 (1998).
54. S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, J. Washburn, K. J. Duxstad, E. E. Haller, Z. F. Fan, S. N. Mohammad, W. Kim, A. E. Botchkarev, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 69, 1556 (1996).
55. P. Moriarty, B. Murphy, L. Roberts, A. A. Caffola. G. Hughes, L. Koenders, and P. Bailey, Phys. Rev. B50, 14237 (1994).
56. H. B. Michaelson, J. Res. Dev. 22,72 (1978).
57. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Appl. Phys. Lett. 73, 809 (1998).
58. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys.86, 1 (1999).
59. J. D. Guo, F. M. Pan. M. S. Feng, R. J. Guo, P. F. Chou, and C. Y. Chang, J. Appl. Phys. 80, 1623 (1996).
60. A. C. Schmitz, A. T. Ping, M. A. Khan, Q. Chen, J. W. Yang, and I. Adesida,Semicond. Sci. Technol. 11, 1464 (1996).
61. Semiconductor Surface and Interface, Ed. W. Mönch (Springer, Berlin, 1995).
62. H. Hasegawa, Y. Koyama, and T. Hashizune, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 2634 (1999).
63. I. Shalish, L. Kronik, G. Segal, Y. Rosenwaks, Yoram Shapira, U. Tisch, and J. Salzman, Phys. Rev. B59, 9748 (1999).
64. P. M. Bridger, Z. Z. Bandic, E. C. Piquette, and C. T. McGill, Appl. Phys. Lett. 74, 3522 (1999).
65. M. A. Reshchikov, P. Visconti, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 78, 177 (2001).
66. M. Sawada, T. Sawada, Y. Yamagata, K. Imai, H. Kimura, M. Yoshino, K. Iizuka, and H. Tomozawa, J. Crystal Growth, 189/190, 706 (1998).
67. P. Hacke, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 63, 2676 (1993).
68. A. T. Ping, A. C. Schmitz, M. Asif, I. Adesida, Electron. Lett. 32, 68 (1996).
69. E. Silkowski, G. S. Pomrenke, Y. K. Yeo, and R. L. Hengehold, Physica Scripta, T69, 276 (1997).
本人發表之文章
1. C. D. Tsai, C. H. Fu, Y. J. Lin, and C. T. Lee, Solid-State Electron. 43, 665 (1999).
2. Y. T. Lyu, K. L. Jaw, C. T. Lee, C. D. Tsai, Y. J. Lin, and Y. T. Cherng, Mater. Chem. Phys. 63, 122 (2000).
3. Y. J. Lin, C. D. Tsai, Y. T. Lyu, and C. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 77, 687 (2000).
4. Y. J. Lin and C. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 77, 3986 (2000).
5. C. D. Tsai, Y. J. Lin, D. S. Liu, and C. T. Lee, The International Society for Optical Engineering, In Optoelectronic Materials and Devices II, pp.725 (2000).
6. Y. J. Lin and C. T. Lee, 2000 International Electron Devices and Materials Symposia, pp.300 (2000).
7. Y. J. Lin, H. Y. Lee, F. T. Hwang, and C. T. Lee, J. Electron. Mater. 30, 532 (2001).
8. Y. J. Lin and C. T. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B, accepted (2001).
指導教授 李清庭(Ching-Ting Lee) 審核日期 2009-5-11
推文 facebook   plurk   twitter   funp   google   live   udn   HD   myshare   reddit   netvibes   friend   youpush   delicious   baidu   
網路書籤 Google bookmarks   del.icio.us   hemidemi   myshare   

若有論文相關問題,請聯絡國立中央大學圖書館推廣服務組 TEL:(03)422-7151轉57407,或E-mail聯絡  - 隱私權政策聲明