博碩士論文 88521008 詳細資訊


姓名 甘佳民(Jian-Ming Gan )  查詢紙本館藏   畢業系所 電機工程研究所
論文名稱 氮化鋁中間層對氮化鋁鎵/氮化鎵異質接面場效電晶體之影響
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摘要(中) 在磊晶氮化鎵於藍寶石基板上時,由於晶格不匹配,導致在氮化鎵與基板介面間產生線差排,而此差排會往上延伸到表面,如此會降低材料中的電子遷移率。有論文發表在磊晶緩衝層時,若於緩衝層中加入了AlN interlayer可以減少這線差排。本文旨要在分析加入了這AlN interlayer以後,除了改善我們磊晶的品質外,觀看這是否會對我們元件特性有其它影響。除了元件特性外,本文尚討論了AlN interlayer與AlGaN對二維電子海的影響。
關鍵字(中) ★ 中間層
★  氮化鋁
★  氮化鋁鎵/氮化鎵
★  氮化鎵
★  異質接面場效電晶體
關鍵字(英) ★ AlGaN/GaN
★  AlN
★  GaN
★  HFET
★  interlayer
論文目次 第一章導論
1.1 回顧Ⅲ-Ⅴ族半導體於高速元件的發展 1
1.2 氮化鎵材料介紹 2
第二章元件之原理與製程
2.1 高速電子遷移率場效電晶體工作原理及材料特性討論 4
2.2 AlGaN/GaN 異質接面場效電晶體的製程 7
第三章元件量測與結果分析
3.1 磊晶結構及材料分析 14
3.1.1 元作結構 14
3.1.2 霍爾效應量測 18
3.2 直流量測 20
3.3 高頻量測 29
第四章AlN interlayer 對元件的影響
4.1 C-V量測 45
4.2差排於磊晶片表面之影響 55
第五章結論 59
Reference 61
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指導教授 綦振瀛(Jen-Inn Chyi) 審核日期 2001-7-17
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