參考文獻 |
[1] W. Shockley, Proceedings of the IRE, Vol. 40, p. 1365, 1952.
[2] C. A. Mead, Proceedings of the IEEE, Vol. 54, p. 307,1966.
[3] L. Esaki and R. Tsu, IBM J. Res. Develop, Vol. 14,
p.61,1970.
[4] R. Dingle, H. L. Stormer, A. C. Gossard and W. Wiexmann,
Appl. Phys. Lett., Vol. 33, p. 665,1978.
[5] T. Mimura, S. Hiyamizu, T.Fujii and K. Nanbu, Jan. J. Appl.
Phys., Vol. 19, L225,1980.
[6] D. Delagebeaudeuf, P. Delescluse, P. Etienne, M. Laviron,
J. Chaplart and N. T. Linh, Electron. Lett., Vol. 16,
p. 667,1980.
[7] A. Ketterson, M. Moloney, W. T. Messelink, J. Klem,
R. Fischer, W. Kopp and H. Morkoc, IEEE Electron Device
Lett, Vol. EDL-6, p.628, 1985.
[8] G. Gradinaru, M. Asif Khan, N. C. Kao, and T. S.Sudarshan.,
Appl. Phys. Lett.,Vol. 72, p. 1475.
[9] A. D. Bykhovski, R. Gaska, M. S. Shur, Appl. Phys. Lett.,
Vol 73, p.3577, 1997.
[10] E. T. Yu, G. J. Sullivan, P. M. Asbeck, C. D. Wang,
D. Qiao, and S. S. Lau, Appl. Phys. Lett., Vol 71,
p. 2794, 1997.
[11] M. A. Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, W. J. Schaff, J. W.
Burm, M. S. Shur, Appl. Phys. Lett, Vol. 65,p. 1121, 1994.
[12] Wu Lu, Jinwei Yang, M. Asif Khan, Ilesanmi Adesida, Tran.
Electron Device, Vol. 48,p. 581, 2001.
[13] L. K. Li, J. Alperin, W. I. Wang, D. C. Look, and D. C.
Reynolds, J. Vac.Sci. Technol. B 16, 1275 ,1998.
[14] E. D. Bourret-Courchesne,a) S. Kellermann, K. M. Yu,
M. Benamara, Z. Liliental-Weber, J. Washburn, Appl. Phys.
Lett., Vol. 77, p.3562, 2000.
[15] L. K. Li, B. Turk, and W. I. Wang, S. Syed, D. Simonian,
H. L. Stormer, Appl. Phys. Lett., Vol. 76, p. 742, 2000.
[16] E. Frayssinet, W. Knap, P. Lorenzini, N. Grandjean, and J.
Massies, C. Skierbiszewski, T. Suski, I. Grzegory, and S.
Porowski, G. Simin, X. Hu, M. Asif Khan, M. S. Shur, R.
Gaska, D. Maude, Appl. Phys. Lett., Vol. 77, p. 2551, 2000.
[17] A. T. Schremer, J. A. Smart, Y. Wang, O. Ambacher, N. C.
MacDonald, J. R. Shealy, Appl. Phys. Lett., Vol 76, p.
736, 2000.
[18] S. J. Cai, R. Li, Y. L. Chen, L. Wong, W. G. Wu, S. G.
Thomas, K. L. Wang, Electronics Lett., Vol. 34, p. 2354,
1998.
[19] L. Yang et.all, “New method to measure source and drain
resistance of the GaAs MESFET Model” IEEE Electron Device
Lett., Vol. EDL-7, p. 75-77, 1986.
[20] Miroslav Micovic, Ara Kurdoghlian, Paul Janke, Paul
Hashimoto, Danny W. S. Wong, Jeong S. Moon, Loren McCray,
Chanh Nguyen, IEEE Tran. Electron Devices, Vol. 48, p.
591, 2001.
[21] O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K.
Chu, M. Murphy,W. J. Schaff, and L. F. Eastman, J.A.P.,
Vol. 85, p. 3222, 1999.
[22] O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K.
Chu, M. Murphy,W. J. Schaff, and L. F. Eastman, J.A.P.,
Vol. 87, p. 334, 2000.
[23] Narihiko Maeda, Tadashi Saitoh, Kotaro Tsubaki, Toshio
Nishida, Naoki Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 38, p.
L799, 1999.
[24] Ok-Hyun Nam, Michael D. Bremser, Tsvetanka S. Zheleva,
Robert F. Davis, Appl. Phys. Let., Vol. 71, p. 2638, 1997.
[25] A. D. Bykhovski, B. L. Gelmont, and M. S. Shur, J. A. P.,
Vol. 81, p. 6332, 1997. |