博碩士論文 89222008 詳細資訊




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姓名 曾國偉(Kuo-Uei Tseng)  查詢紙本館藏   畢業系所 物理學系
論文名稱 氮化銦鎵卅氮化鎵多層量子井發光二極體之電性研究
(The electrical properties of InGaN/GaN MQWs LED)
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摘要(中) 本篇論文主要是針對氮化銦鎵卅氮化鎵多層量子井發光二極體(In0.23Ga0.77N/GaN MQWs LED)的結構以電容電壓量測與導納量測探討其電性。
在本研究中,主要是利用電容電壓量測檢測多層量子井中的載子分佈情形。並分析在不同溫度與量測頻率的條件下,載子凍結與樣品所含的缺陷對於電容電壓量測之影響。另外,利用空乏近似法的計算來模擬電容電壓譜線,並探討在氮化銦鎵卅氮化鎵異質結構中所產生的壓電場效應,對於多層量子井的能帶結構與載子分佈所帶來的影響。
而由導納量測的結果發現,樣品中含有來自於n型摻雜的矽(Si)、p型摻雜的鎂(Mg)和一個可能與氮空缺(N-vacancy)有關的缺陷。
摘要(英) We use capacitance-voltage measurement and admittance spectroscopy to study the electrical properties of InGaN/GaN MQWs LED.
We use C-V measurement to study the carrier distribution of MQWs. And we analyze the influence of the carrier freeze-out and defect on the different temperature and frequency C-V measurement. Besides, we study the influence of piezoelectric field on the band profile and carrier distribution of MQWs by depletion approximation.
Then we found the n type dopant (Si), the p type dopant (Mg), and the defect N-vacancy related with admittance measurement.
關鍵字(中) ★ 氮化銦鎵卅氮化鎵
★ 多層量子井
★ 電容電壓量測
關鍵字(英) ★ MQW
★ C-V
★ InGaN/GaN
論文目次 第一章:簡介
第二章:基本原理
2-1 電容電壓量測
2-2 電容電壓譜線的近似計算
2-2-1 單層量子井之計算
2-2-2 多層量子井加入壓電場之計算
2-3 導納量測
第三章:樣品結構及實驗裝置
3-1樣品結構
3-2實驗裝置
第四章:實驗結果與討論
4-1電容電壓量測
4-1-1 不同溫度之電容電壓量測
4-1-2 不同量測頻率之電容電壓量測
4-2 載子分佈圖
4-3不同樣品之電容電壓量測
4-4 導納量測
第五章:結論
參考文獻
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指導教授 徐子民(Tu-Min Hsu) 審核日期 2002-6-21
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